[发明专利]光电转换装置

说明书

提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。

技术领域

本发明涉及光电转换装置。

背景技术

近年来，作为光电转换装置的太阳能电池受到关注。作为太阳能电池的一例，有背面电极型的太阳能电池。

例如在日本特开2007-281156号公报中公开了背面电极型的太阳能电池。在上述公报中，背面电极型的太阳能电池由晶体半导体、形成于上述晶体半导体的与太阳光的照射面成为相反侧的背面的n型非晶态半导体层、形成于上述背面的p型非晶态半导体层以及形成于上述n型非晶态半导体层上和上述p型非晶态半导体层上的电极构成。

然而，在如上述公报那样在非晶态半导体层上形成电极的情况下，存在非晶态半导体层与电极之间的接触电阻变高这样的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够降低包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻，从而提高元件特性的光电转换装置。

本发明的实施方式的光电转换装置具备半导体基板、第1半导体层、第2半导体层、第1电极和第2电极。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括第1导电层和第2导电层。第2导电层与第1导电层相接地形成。第1导电层包含第1金属来作为主要成分。第2导电层包含第2金属。第2金属比第1金属更容易被氧化。

本发明的实施方式的光电转换装置能够降低包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻，提高光电转换装置的特性。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式的光电转换元件的概略结构的剖视图。

图2A是用于说明图1所示的光电转换装置的制造方法的剖视图，是示出图1所示的光电转换装置的硅基板的剖视图。

图2B是示出在图2A所示的硅基板形成了本征非晶态硅层、p型非晶态硅层、被覆层的状态的剖视图。

图2C是示出在图2B所示的硅基板，对被覆层以及p型非晶态硅层进行成图而形成了被覆层以及p型非晶态硅层的状态的图。

图2D是说明在图2C所示的硅基板形成n型非晶态硅层的工序的图。

图2E是示出在图2C所示的硅基板的背面形成了本征非晶态硅层、并且在本征非晶态硅层上形成了n型非晶态硅层以及p型非晶态硅层的状态的剖视图。

图2F是示出在图2E所示的硅基板的受光面形成了钝化膜的状态的剖视图。

图2G是示出在图2E所示的硅基板，在钝化膜上形成了防反射膜的状态的剖视图。

图2H是示出在图2G所示的硅基板，形成了由银构成的导电层以及由钛构成的导电层的状态的剖视图。

图2I是示出在图2H所示的硅基板形成了电极的状态的剖视图。

图3是示出平均晶体粒径与退火温度的关系的图表。

图4是示出具备2层导电层的电极与n型非晶态硅层的界面附近的氧浓度的峰值的图表。