[发明专利]受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置在审

专利信息
申请号: 201480058890.X 申请日: 2014-10-30
公开(公告)号: CN105745765A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 藤本直树 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L31/12 分类号: H01L31/12;G01J1/02;H01L33/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李国华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 以及 使用 传感器 装置
【权利要求书】:

1.一种受光发光元件,其特征在于,具备:

一导电型的半导体基板;

发光元件,其具有层叠在该半导体基板的上表面的多个半导体层;

受光元件,其在所述半导体基板的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区域;和

第1电极焊盘,其配置在所述半导体基板的上表面,并且成为所述受光元件的电极,

所述一导电型的半导体基板中的杂质浓度是所述第1电极焊盘的正下方的区域高于其他区域。

2.根据权利要求1所述的受光发光元件,其特征在于,

所述第1电极焊盘的正下方的区域中的杂质和构成与所述半导体基板的上表面相接的所述半导体层的元素中的至少1个相同。

3.根据权利要求1或2所述的受光发光元件,其特征在于,

所述多个半导体层包含一导电型的接触层,

所述受光发光元件还具备:第2电极,其配置在该接触层的上表面,并且成为所述发光元件的电极,

该第2电极以及所述第1电极焊盘由相同材料构成。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的受光发光元件,其特征在于,

所述半导体基板上的所述第1电极焊盘的正下方的区域具有向所述第1电极焊盘侧突出的突出部。

5.根据权利要求4所述的受光发光元件,其特征在于,

所述第1电极焊盘覆盖了所述突出部。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的受光发光元件,其特征在于,

所述第1电极焊盘位于所述发光元件与所述受光元件之间的区域。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的受光发光元件,其特征在于,

所述半导体基板在所述第1电极焊盘与所述发光元件之间还具有槽。

8.一种传感器装置,其使用了权利要求1~7中任一项所述的受光发光元件,所述传感器装置的特征在于,

从所述发光元件向被照射物照射光,根据对应于来自该被照射物的反射光而输出的来自所述受光元件的输出电流,来检测所述被照射物的位置信息、距离信息以及浓度信息之中的至少1个。

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