[发明专利]受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置在审
申请号: | 201480058890.X | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN105745765A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 藤本直树 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;G01J1/02;H01L33/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 以及 使用 传感器 装置 | ||
1.一种受光发光元件,其特征在于,具备:
一导电型的半导体基板;
发光元件,其具有层叠在该半导体基板的上表面的多个半导体层;
受光元件,其在所述半导体基板的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区域;和
第1电极焊盘,其配置在所述半导体基板的上表面,并且成为所述受光元件的电极,
所述一导电型的半导体基板中的杂质浓度是所述第1电极焊盘的正下方的区域高于其他区域。
2.根据权利要求1所述的受光发光元件,其特征在于,
所述第1电极焊盘的正下方的区域中的杂质和构成与所述半导体基板的上表面相接的所述半导体层的元素中的至少1个相同。
3.根据权利要求1或2所述的受光发光元件,其特征在于,
所述多个半导体层包含一导电型的接触层,
所述受光发光元件还具备:第2电极,其配置在该接触层的上表面,并且成为所述发光元件的电极,
该第2电极以及所述第1电极焊盘由相同材料构成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的受光发光元件,其特征在于,
所述半导体基板上的所述第1电极焊盘的正下方的区域具有向所述第1电极焊盘侧突出的突出部。
5.根据权利要求4所述的受光发光元件,其特征在于,
所述第1电极焊盘覆盖了所述突出部。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的受光发光元件,其特征在于,
所述第1电极焊盘位于所述发光元件与所述受光元件之间的区域。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的受光发光元件,其特征在于,
所述半导体基板在所述第1电极焊盘与所述发光元件之间还具有槽。
8.一种传感器装置,其使用了权利要求1~7中任一项所述的受光发光元件,所述传感器装置的特征在于,
从所述发光元件向被照射物照射光,根据对应于来自该被照射物的反射光而输出的来自所述受光元件的输出电流,来检测所述被照射物的位置信息、距离信息以及浓度信息之中的至少1个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的