[发明专利]具有改进型电容器的结构

权利要求书

1.一种金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其包括：

-基底(2)，

-设置在基底(2)上的第一电绝缘层(14)，

-设置在第一电绝缘层(14)上的下电极(6)，

-结构化金属层，设置在下电极(6)上，并且通过包括多个孔被结构化，所述多个孔通过电绝缘的外围的氧化层与产生这些孔的结构化金属层的其余部分电绝缘，所述电绝缘的外围的氧化层构成通过阳极刻蚀得到的孔绝缘基体(121)，

-金属-绝缘体-金属型电容器(4；41)，其包括设置在结构化金属层

(12)上和所述结构化金属层(12)各孔中的第一导电层(18)、覆盖第一导电层(18)的介电层(20)、覆盖介电层(20)的第二导电层(24)，每个相关孔都包括由介电层(20)分隔开的第一导电层(18)和第二导电层(24)，

-设置在金属-绝缘体-金属型电容器(4)上的上电极(8)，

-设置在上电极(8)上的第二电绝缘层(16)，

其特征在于，

-位于结构化金属层(12)各孔内的第一导电层(18)与下电极(6)相接触，

-位于结构化金属层(12)各孔内的第二导电层(24)与上电极(8)相接触，以及

所述下电极(6)包括金属层(28)和刻蚀阻挡层(10)，所述刻蚀阻挡层(10)防止阳极刻蚀并位于下电极(6)的金属层(28)与孔绝缘基体(121)之间。

2.根据权利要求1的所述金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其包括：

-至少一个下侧向绝缘带，其位于下电极(6)中并把下电极(6)分为电特性不同的两个区域，以及，

-至少一个上侧向绝缘带，其位于上电极(8)中并把上电极(8)分为电特性不同的两个区域，

还包括通过结构化金属层(12)从所设置的下电极(6)到上电极(8)层面的电触点。

3.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述下侧向绝缘带和所述上侧向绝缘带由选自氧化硅和氮化硅的绝缘材料制成。

4.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述结构化金属层(12)是微米结构化或纳米结构化，且由厚度大于0.4微米的金属构成。

5.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述结构化金属层(12)是由铝制成，所述孔绝缘基体(121)是由氧化铝制成。

6.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述介电层(20)是由绝缘材料构成，所述绝缘材料具有高介电常数值k，其值大于4(k>4)。

7.根据权利要求6所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述介电层(20)是由具有介电常数值k大于10的绝缘材料构成。

8.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述结构包括多个彼此堆叠的金属-绝缘体-金属型电容器(4)。

9.根据权利要求8所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述堆叠的两个金属-绝缘体-金属型电容器并联电耦合。

10.根据权利要求8所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)，其特征在于，所述堆叠的金属-绝缘体-金属型电容器首先通过其上电极(8)电连接到另一个金属-绝缘体-金属型电容器的上电极(8)，然后通过其下电极(6)连接到位于它上面的另一个金属-绝缘体-金属型电容器的下电极(6)。

11.一种无源或有源电子半导体设备，其包括至少一个根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属型电容器结构(1)。