[发明专利]线性图像传感器有效
申请号: | 201480059141.9 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105684150B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 高木慎一郎;米田康人;铃木久则;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N1/028;H04N5/372 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 图像传感器 | ||
1.一种线性图像传感器,其特征在于:
具有排列于行方向的多个光检测部,各所述光检测部以具有沿着列方向排列的多个像素区域的方式被分割,将来自多个像素区域的信号分别按各所述光检测部累计,依时间顺序输出与一维的光学图像对应的电信号,且
各个所述像素区域具备:
光电转换区域,其将入射的能量线进行光电转换;
梯度电位形成机构,其在所述光电转换区域内形成促进沿着所述列方向的电荷的向后段部分的像素区域的传送的电位梯度;
电荷存储区域,其分别存储各个所述光电转换区域中产生且通过所述梯度电位形成机构而在所述列方向传送的电荷,并且所存储的电荷通过由向设置于其上的传送电极的施加电位所进行的电位控制,从而流入至后段部分的像素区域的光电转换区域;
漏极区域,其隔着沟道区域而在行方向上邻接于所述电荷存储区域;及
重置栅电极,其配置于所述沟道区域上,以控制在所述沟道区域中流动的电荷量。
2.如权利要求1所述的线性图像传感器,其中
在某像素区域中的所述电荷存储区域与邻接于该像素区域的后段部分的像素区域中的所述光电转换区域之间,形成有杂质浓度低于所述光电转换区域的势垒区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的