[发明专利]对锗层进行热处理的半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480059398.4 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105706218B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 鸟海明;李忠贤;西村知纪 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 进行 热处理 半导体 制造 方法 装置 | ||
1.一种半导体基板，其特征在于，具备硅的组成比为10％以下的单晶锗层，所述锗层的距离表面1μm处的氧浓度低于1×1016cm-3且低于距离所述表面5μm处的氧浓度，而且所述锗层的距离表面5μm处的氧浓度为1×1016cm-3以上。
2.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，距离所述表面1μm处的氧浓度为4×1015cm-3以下。
3.如权利要求1或2所述的半导体基板，其特征在于，所述锗层的(111)面为主面。
4.如权利要求1或2所述的半导体基板，其特征在于，所述锗层为单晶锗基板。
5.一种半导体装置，其特征在于，具备权利要求1或2所述的半导体基板。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，具备
在所述锗层的表面形成的栅极绝缘膜、和
在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极。
7.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包括在还原性气体气氛中，对距离表面1μm处的氧浓度为1×1016cm-3以上的硅的组成比为10％以下的单晶锗层进行热处理以使所述氧浓度减小的工序，
通过所述热处理，距离表面1μm处的所述锗层的氧浓度变得低于1×1016cm-3。
8.如权利要求7所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述热处理的工序为在700℃以上进行热处理的工序。
9.如权利要求7所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述热处理的工序是在800℃以上进行热处理的工序。
10.如权利要求7至9中任一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述锗层的(111)面为主面。
11.如权利要求7至9中任一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述还原性气体气氛为氢气气氛。
12.如权利要求7至9中任一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述锗层为单晶锗基板。
13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括在通过权利要求7至9中任一项所述的半导体基板的制造方法制造的半导体基板上形成半导体装置的工序。
14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
形成所述半导体装置的工序包括：
在经所述热处理的所述锗层的表面形成栅极绝缘膜的工序；和
在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
