[发明专利]具有夹盘组件的远紫外线光刻系统及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包含：

引导来自远紫外线(EUV)光源的EUV光线通过反射透镜系统；

将EUV掩模插入所述反射透镜系统内，所述EUV掩模具有基板与形成布 拉格反射器的多层叠层，所述多层叠层与所述基板被保持在夹盘的表面上，所 述基板具有预定基板平坦度的热传导平滑基板，所述夹盘为热传导及平滑的且 具有预定夹盘平坦度；以及

将所述EUV掩模的图案反射在半导体基板上以形成所述半导体器件。

2.如权利要求1所述的方法，其中将具有所述基板的所述EUV掩模插入 的步骤包括：将具有特殊化薄刚性材料基板、硅晶片、或金属基板的所述EUV 掩模插入。

3.如权利要求1所述的方法，其中将所述EUV掩模插入的步骤包括：将 所述EUV掩模静电地保持在所述夹盘的所述表面上，所述夹盘与所述EUV 掩模具有合并厚度为1mm或更小。

4.如权利要求1所述的方法，其中将所述EUV掩模插入使所述EUV掩 模保持在所述夹盘的所述表面上的步骤包括：将所述EUV掩模插入使所述 EUV掩模保持在具有纹理化安装表面的所述夹盘的所述表面上，其中所述纹 理化安装表面具有多个台面、沟槽、孔洞、或前述的组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中将所述EUV掩模插入使所述EUV掩 模保持在所述夹盘的所述表面上的步骤包括：将所述EUV掩模插入使所述 EUV掩模保持在具有接近于所述EUV掩模的冷却系统的所述夹盘的所述表面 上，所述冷却系统使用气体或液体冷却剂及在100℃或更低的操作温度范围。

6.一种EUV光刻系统，包含：

EUV光源；

夹盘，所述夹盘为热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度的表面；以及

反射透镜系统，所述反射透镜系统用于在所述夹盘的所述表面之上引导来 自所述EUV光源的EUV光线。

7.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘在100℃或更低的操作温度范 围。

8.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘包括接近于EUV掩模的冷却 系统，所述冷却系统使用气体或液体冷却剂。

9.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘包括纹理化安装表面，其中 所述纹理化安装表面具有多个台面、沟槽、孔洞、或前述的组合。

10.如权利要求6所述的系统，其中所述夹盘是静电夹盘。

11.一种EUV掩模，包含：

多层叠层，所述多层叠层为布拉格反射器的形式；及

基板，所述基板在所述多层叠层之下，所述多层叠层与所述基板被保持在 夹盘的表面上，所述基板具有热传导平滑表面与预定基板平坦度，所述夹盘为 热传导及平滑的且具有预定夹盘平坦度。

12.如权利要求11所述的掩模，其中所述基板是静电地保持在所述夹盘 的所述表面上的硅晶片或金属基板，所述夹盘与所述基板具有合并厚度为1 mm或更小。

13.如权利要求11所述的掩模，其中所述夹盘是具有接近于所述基板的 冷却系统的ESC，所述冷却系统使用气体或液体冷却剂及在100℃或更低的操 作温度范围。

14.如权利要求11所述的掩模，其中所述夹盘包括纹理化安装表面，其 中所述纹理化安装表面具有多个台面、沟槽、孔洞、或前述的组合。

15.如权利要求11所述的掩模，其中所述EUV掩模具有多个外形与尺寸 为154mm×154mm或更大。