[发明专利]用于非易失性RAM差错重映射的方法和装置在审
申请号: | 201480059917.7 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105723344A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | D·T·程;J·P·金;S·H·康;T·金 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F12/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 亓云 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 非易失性 ram 差错 映射 方法 装置 | ||
1.一种方法,包括:
当处理器执行读操作以读取非易失性存储器中的页时检测所述非易失性存储器的存储器单元中的差错,所述页具有页地址并包括所述存储器单元;
在所述非易失性存储器的表格中存储具有所述存储器单元的存储器位置以及关于所述存储器单元的检测到的差错的累积数目的条目;以及
倘若检测到的差错的累积数目超过预定阈值,则将参引所述页地址对所述非易失性存储器的存储器操作引导至所述非易失性存储器中的新页地址。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述引导存储器操作的步骤进一步包括:
配置所述非易失性存储器中的重映射器以将参引所述页地址的存储器操作引导至所述新页地址。
3.如权利要求2所述的方法,进一步包括:
纠正所述页以提供经纠正页;以及
执行存储器写操作以将所述经纠正页写入所述非易失性存储器,所述写操作参引所述页地址。
4.如权利要求2所述的方法,进一步包括:
在所述非易失性存储器中的页映射表中存储指示所述页地址和所述新页地址的映射。
5.如权利要求4所述的方法,进一步包括:
将所述页映射存储在系统存储器中;以及
基于所存储的页映射表来配置重映射器,所述重映射器将参引所述页地址的存储器操作引导至所述新页地址。
6.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述非易失性存储器中的页映射表中存储指示所述页地址和所述新页地址的映射。
7.一种其上存储有指令的非瞬态计算机可读存储介质,所述指令在由至少一个处理器执行时使一系统执行一种方法,所述方法包括:
在非易失性存储器中存储页映射表,所述页映射表具有一组条目,每个条目具有第一字段和第二字段;以及
基于所述页映射表来配置所述非易失性存储器中的重映射器,所述重映射器将参引与所述页映射表中的条目中的所述第一字段匹配的页地址的存储器操作引导至与所述条目中的所述第二字段匹配的页地址。
8.如权利要求7所述的非瞬态计算机可读存储介质,所述存储的步骤进一步包括:
基于在所述非易失性存储器中的页上执行的读操作来检测所述非易失性存储器中的存储器单元中的差错,所述页具有旧页地址并包括所述存储器单元;以及
在所述页映射表中存储新条目,所述新条目的所述第一字段具有匹配所述旧页地址的值而所述新条目的所述第二字段具有匹配新页地址的值。
9.如权利要求8所述的非瞬态计算机可读存储介质,其特征在于,所述方法进一步包括:
在所述非易失性存储器中存储具有一组条目的差错状态表,所述差错状态表中的每个条目具有指示存储器单元位置的第一字段和指示与所述存储器单元位置相关联的检测到的差错的累积数目的第二字段。
10.如权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质,其特征在于,所述在所述页映射表中存储所述新条目的步骤仅在所述差错状态表中的条目的所述第二字段具有超过预定阈值的值,且所述差错状态表中的所述条目的所述第一字段指示所述存储器单元的存储器位置时才执行。
11.如权利要求10所述的非瞬态计算机可读存储介质,其特征在于,所述方法进一步包括:
执行所述页的经纠正版本的存储操作,所述存储操作参引所述旧页地址。
12.一种装置,包括:
存储器,包括:
非易失性(NV)单元阵列;
耦合至所述NV单元阵列的纠错码(ECC)电路;以及
重映射器,用以映射页地址;以及
耦合至所述存储器的处理器,当所述处理器针对所述非易失性存储器中的页执行读操作时,所述处理器响应于所述ECC电路在所述NV单元阵列中检测到差错而在所述NV单元中的表格中存储条目,所述条目具有所述存储器单元的存储器位置和针对所述存储器单元的检测到的差错的累积数目,所述页包括所述存储器单元并具有页地址;以及倘若所述检测到的差错的累积数目超过预定阈值,则所述处理器配置所述重映射器以将参引所述页地址对所述NV单元阵列的存储器操作引导至所述NV单元阵列中的新页地址。
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