[发明专利]控制炉内坩埚的温度

权利要求书

1.用于生长晶体的炉系统，该炉系统包括：

用于生长晶体的坩埚(110)，

炉(120)，炉(120)包括具有内部容积(Vi)的壳体(121)，该内 部容积(Vi)形成加热区，

其中，坩埚(110)布置在内部容积(Vi)中，其中壳体(121)包括 连接内部容积(Vi)与壳体(121)的环境的通孔(124)，和

绝热塞(101)，该绝热塞(101)能够可移动地插入通孔(124)中， 以控制通过辐射从坩埚(110)向外的热提取，

其中绝热塞(101)没有与坩埚(110)有力传递接触。

2.根据权利要求1所述的炉系统，

其中壳体(121)包括具有支撑区域(123)的底部(122)，坩埚(110) 支撑在该支撑区域(123)上，

其中支撑区域(123)包括连接内部容积(Vi)与壳体(121)的环境 的所述通孔(124)。

3.根据权利要求1或2所述的炉系统，

其中坩埚(110)布置在内部容积(Vi)中以使得通孔(124)被坩埚 (110)的底表面(112)覆盖，以密封内部容积(Vi)使内部容积(Vi) 与环境隔开。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的炉系统，

其中坩埚(110)的底表面(112)具有第一直径(I1)，并且

其中绝热塞(101)的顶端具有等于第一直径(I1)的第二直径(I2)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的炉系统，

其中坩埚(110)包括具有圆柱形轮廓的晶种(103)，该圆柱形轮廓 具有晶体直径(Is)，

其中绝热塞(101)的顶端的第二直径(I2)等于晶体直径(Is)。

6.根据权利要求5所述的炉系统，

其中通孔的第三直径能够调整为绝热塞(101)的顶端的第二直径(I2)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的炉系统，

其中绝热塞(101)包括热辐射部(104)，该热辐射部(104)形成绝 热塞(101)的面向坩埚(110)的表面、尤其是底表面(112)的自由端。

8.根据权利要求7所述的炉系统，

其中热辐射部(104)包括具有大于50W/(m*K)、尤其大于90W/(m*K) 的传热系数的材料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的炉系统，

其中绝热塞(101)包括绝热部(105)，该绝热部(105)形成绝热塞 (101)的面向壳体(121)的环境的自由端。

10.根据权利要求9所述的炉系统，

其中绝热部(105)包括具有小于20W/(m*K)、尤其小于1W/(m*K) 的传热系数的材料。

11.根据权利要求2至10中任一项所述的炉系统，

其中坩埚(110)的底表面(112)的区域具有等于或大于通孔(124) 的开口横截面的尺寸。

12.根据权利要求2至11中任一项所述的炉系统，还包括：

支撑板(106)，该支撑板(106)布置在坩埚(110)的底表面(112) 与支撑区域(123)之间。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的炉系统，

其中绝热塞(101)被可移动地支撑以使得绝热塞(101)能够沿朝向 坩埚(110)和远离坩埚(110)的方向移动。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的炉系统，还包括：

热交换器(130)，该热交换器(130)热耦合至绝热塞(101)以在绝 热塞(101)和热交换器(130)之间传热。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的炉系统，还包括：

用于生长另外的晶体的至少一个另外的坩埚(160)，其中另外的坩埚 (160)布置在内部容积(Vi)内。