[发明专利]栅极驱动电路以及使用该栅极驱动电路的电力变换装置有效

专利信息
申请号: 201480060655.6 申请日: 2014-10-30
公开(公告)号: CN105706366B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 森本笃史 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H03K17/04 分类号: H03K17/04;H02M1/08;H03K17/687
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 韩聪
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 电路 以及 使用 电力 变换 装置
【权利要求书】:

1.一种栅极驱动电路,对半导体器件的栅极进行驱动,具备:

正电源,其用于所述半导体器件的正向偏置;

负电源,其用于所述半导体器件的反向偏置;

第1偏置电路,其输入栅极驱动信号,并根据该栅极驱动信号来输出所述正电源的电压或所述负电源的电压;

第2偏置电路,其输入所述栅极驱动信号,并根据该栅极驱动信号来将所述正电源的电压或所述负电源的电压提供给所述半导体器件的栅极;和

电容器,其在所述第1偏置电路和所述第2偏置电路输出所述负电源的电压时,通过所述负电源的电压来充电,

所述第2偏置电路,在所述半导体器件接通的过渡期间的初始阶段,取代所述正电源的电压,将通过在从所述第1偏置电路输出的所述正电源的电压上叠加所述电容器的充电电压而被升压后的电压提供给所述半导体器件的栅极。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,

积累于所述电容器的电荷量,是在所述半导体器件接通时该半导体器件的栅极电压达到平台电压为止所需的电荷量以下。

3.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,

所述第1偏置电路和所述第2偏置电路通过该栅极驱动信号同步。

4.一种电力变换装置,其使用了权利要求1或2所述的栅极驱动电路。

5.一种栅极驱动电路,对半导体器件的栅极进行驱动,具备:

正电源;

负电源;

第1偏置电路,其输入栅极驱动信号、所述正电源的电压和所述负电源的电压,并根据该栅极驱动信号来输出所述正电源的电压或所述负电源的电压;

第1电容器,其在所述第1偏置电路输出所述负电源的电压时,通过所述负电源的电压来充电;

在所述负电源与所述第1电容器之间串联连接的第1电阻和第1逆流防止二极管;

第2偏置电路,其输入所述栅极驱动信号,并根据该栅极驱动信号将所述正电源的电压或所述负电源的电压提供给所述半导体器件的栅极;

配置在所述正电源与所述负电源之间的第2电阻;

配置在所述正电源与所述第1偏置电路之间的第2逆流防止二极管;

第3逆流防止二极管,其与所述第1电容器并联连接,阳极侧与所述第1偏置电路的输出连接;

第4逆流防止二极管,其配置于所述正电源与所述第2偏置电路之间;

第5逆流防止二极管,其阳极侧与所述第3逆流防止二极管的阴极连接;和

第3电阻,其连接于所述第2偏置电路的输出。

6.根据权利要求5所述的栅极驱动电路,其中,

所述负电源通过电容器和齐纳二极管的并联连接而构成,

所述第1偏置电路由第1绝缘电路、第1NPN晶体管和第1PNP晶体管构成,

所述第2偏置电路由第2绝缘电路、第2NPN晶体管和第2PNP晶体管构成。

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