[发明专利]金属氧化物半导体膜、薄膜晶体管、显示装置、图像传感器及X射线传感器

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体膜，其至少含有铟作为金属成分，通过X射线反射率法测定的平均膜密度为6g/cm³以上，其中，

在将膜中的铟浓度设为D_I、且将膜中的氢浓度设为D_H时，满足以下关系式(1)，D_I和D_H的单位为atoms/cm³，

0.1≤D_H/D_I≤1.8(1)。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体膜，其满足以下关系式(2)，

0.5≤D_H/D_I≤1.3(2)。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体膜，其中，

膜中的铟含量为包含于该膜中的所有金属元素的50atom％以上。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体膜，其中，

在将膜中的氮浓度设为D_N时，满足以下关系式(3)，D_N的单位为atoms/cm³，

0.004≤D_N/D_I≤0.012(3)。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体膜，其中，

在将膜中的碳浓度设为D_C时，满足以下关系式(4)，D_C的单位为atoms/cm³，

0.016≤D_C/D_I≤0.039(4)。

6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体膜，其中，

作为金属成分，含有铟和选自锌、锡、镓及铝中的至少1种金属元素。

7.一种薄膜晶体管，其具有包含权利要求1～6中任一项所述的金属氧化物半导体膜的活性层、源电极、漏电极、栅极绝缘膜及栅电极。

8.一种显示装置，其具有权利要求7所述的薄膜晶体管。

9.一种图像传感器，其具有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有包含金属氧化物半导体膜的活性层、源电极、漏电极、栅极绝缘膜及栅电极，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，其中，

在将膜中的铟浓度设为D_I、且将膜中的氢浓度设为D_H时，满足以下关系式(1)，D_I和D_H的单位为atoms/cm³，

0.1≤D_H/D_I≤1.8(1)。

10.一种X射线传感器，其具有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有包含金属氧化物半导体膜的活性层、源电极、漏电极、栅极绝缘膜及栅电极，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，其中，

在将膜中的铟浓度设为D_I、且将膜中的氢浓度设为D_H时，满足以下关系式(1)，D_I和D_H的单位为atoms/cm³，

0.1≤D_H/D_I≤1.8(1)。