[发明专利]DLC覆膜的成膜方法有效
| 申请号： | 201480060931.9 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105705678B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 田代裕树;松冈宏之;渡边元浩;榊原渉;野上惣一郎 | 申请（专利权）人： | 同和热处理技术株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C01B32/05;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dlc 方法 | ||
1.一种DLC覆膜的成膜方法，其为通过仅向基材施加电压，使腔室内的气体等离子体化，通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法，
将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压、
作为供给至腔室内的成膜气体，使用乙炔气体或甲烷气体、
并且，对于腔室内的气体的总压，
使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下、
使用乙炔气体的情况下设为0.5Pa以上且1Pa以下，
所述偏置电压在使用甲烷气体的情况下设为0.9kV以上且1.2kV以下，在使用乙炔气体的情况下设为1.2kV以上且1.8kV以下。
2.根据权利要求1所述的DLC覆膜的成膜方法，其中，向作为成膜气体的所述乙炔气体或甲烷气体混合Ar气体。
3.根据权利要求1或2所述的DLC覆膜的成膜方法，其中，所述脉冲电源的频率设为1kHz以上且100kHz以下。
4.根据权利要求1或2所述的DLC覆膜的成膜方法，其中，在腔室内通过PVD法在基材上形成中间层、
接着，在相同腔室内通过等离子体CVD法形成DLC覆膜。
5.根据权利要求4所述的DLC覆膜的成膜方法，其中，所述中间层的形成中，作为成膜气体使用Ar气体及甲烷气体、
改变溅射功率及成膜气体中的Ar气体与甲烷气体之比，以使该中间层内组成连续地变化。
6.根据权利要求5所述的DLC覆膜的成膜方法，其中，所述中间层的形成中，Ar气体与甲烷气体之比以该中间层的组成成为基材侧为富金属、DLC覆膜侧为富碳的方式构成。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
