[发明专利]具有发射红光磷光体的LED封装

权利要求书

1.用于制造LED照明装置的方法，所述LED照明装置包含式I的Mn⁴⁺掺杂的复合物氟化物磷光体，

A_x(M，Mn)F_y (I)

所述方法包括在LED芯片表面上形成聚合物复合材料层，所述聚合物复合材料层包含式I的Mn⁴⁺掺杂的复合物氟化物磷光体的第一颗粒群和第二颗粒群；

其中，

所述聚合物复合材料层具有横过其厚度在锰浓度方面变化的分级组成；

第一颗粒群具有比第二颗粒群更低的锰浓度；且

所述聚合物复合材料层中锰浓度的变化范围从聚合物复合材料层的接近LED芯片的区域中的最小值到与LED芯片相对的区域中的最大值；

其中，

A为Li、Na、K、Rb、Cs、NR₄或其组合；

M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；

R为H、低级烷基或其组合；

x为[MF_y]离子的电荷的绝对值；且

y为5、6或7。

2.根据权利要求1的方法，其中第一颗粒群中锰浓度的变化范围从1mol％到2.5mol％，且第二颗粒群中锰浓度的变化范围从2mol％到5mol％。

3.根据权利要求1的方法，其中第一颗粒群的中值粒径大于第二颗粒群的中值粒径。

4.根据权利要求3的方法，其中第一群的颗粒的中值粒径的变化范围从20μm到50μm。

5.根据权利要求3的方法，其中第二群的颗粒的中值粒径的变化范围从10μm到30μm。

6.根据权利要求1的方法，其中第一群的颗粒的密度大于第二群的颗粒的密度。

7.根据权利要求6的方法，其中第一群的颗粒的密度的变化范围从2.5克/立方厘米到4.5克/立方厘米。

8.根据权利要求6的方法，其中第二群的颗粒的密度的变化范围从2.5克/立方厘米到4.5克/立方厘米。

9.根据权利要求1的方法，其中式I的Mn⁴⁺掺杂的复合物氟化物磷光体为K₂(Si，Mn)F₆。

10.通过根据权利要求1的方法制造的LED照明装置。

11.LED照明装置，其包括：

LED芯片；和

布置在LED芯片表面上并包含式I的Mn⁴⁺掺杂的复合物氟化物磷光体的聚合物复合材料层，

A_x(M，Mn)F_y (I)

其中，

所述聚合物复合材料层的组成在锰浓度方面横过其厚度变化；且

锰浓度的变化范围从聚合物复合材料层的接近LED芯片的区域中的最小值到与LED芯片相对的区域中的最大值，其中所述聚合物复合材料层包含式I的Mn⁴⁺掺杂的复合物氟化物磷光体的第一颗粒群和第二颗粒群，且第一颗粒群具有比第二颗粒群更低的锰浓度；

其中，

A为Li、Na、K、Rb、Cs、NR₄或其组合；

M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；

R为H、低级烷基或其组合；

x为[MF_y]离子的电荷的绝对值；且

y为5、6或7。

12.根据权利要求11的LED照明装置，其中式I的Mn⁴⁺掺杂的复合物氟化物磷光体为K₂(Si，Mn)F₆。