[发明专利]用于OLED装置的纳米结构有效
申请号: | 201480061278.8 | 申请日: | 2014-10-20 |
公开(公告)号: | CN105706242B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 迈克尔·本顿·弗里;马丁·B·沃克;谢尔盖·拉曼斯基;奥勒斯特尔·小本森 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 装置 纳米 结构 | ||
1.一种制造OLED装置的方法,所述方法包括:
将光学耦合层(OCL)前体涂覆在OLED阵列的顶部表面上,形成平坦化的OCL前体表面;
将转印膜层合至所述OCL前体表面上,所述转印膜包括纳米结构化模板膜和纳米结构化转印层,使得所述纳米结构化转印层的平坦外表面接触所述OCL前体表面,其中所述转印膜包括嵌入式纳米结构化表面;
使所述OCL前体聚合以形成所述OCL并将所述纳米结构化转印层的所述平坦外表面粘结到所述OCL;以及
将所述纳米结构化模板膜从所述纳米结构化转印层移除。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述OLED阵列的所述顶部表面、所述平坦化的OCL前体、以及所述平坦外表面中的至少一者包括粘合增进底漆层。
3.一种制造OLED装置的方法,所述方法包括:
在模板膜的纳米结构化表面上形成纳米结构化层,使得所述纳米结构化层具有平坦外表面和嵌入式纳米结构化表面;
将光学耦合层(OCL)前体涂覆在所述平坦外表面上以形成转印膜;
将所述转印膜层合至OLED阵列的主表面上,使得所述OCL前体接触所述主表面;
使所述OCL前体聚合以形成所述OCL并将所述OCL粘结到所述OLED阵列的所述主表面;以及
将所述模板膜从所述纳米结构化层移除。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述OLED阵列的所述主表面包括粘合增进底漆层。
5.一种制造OLED装置的方法,所述方法包括:
将光学耦合层(OCL)前体涂覆在OLED阵列的顶部表面上,形成平坦化的OCL前体表面;
将具有纳米结构化表面的模板膜层合至所述平坦化的OCL前体表面上,使得所述OCL前体至少部分地填充所述纳米结构化表面;
使所述OCL前体在所选择的区域中聚合,以形成具有未聚合区域的图案化的纳米结构化OCL;
移除所述模板膜;以及
使所述未聚合区域聚合。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述OLED阵列的所述顶部表面包括粘合增进底漆层。
7.根据权利要求5所述的方法,还包括在移除所述模板膜之后并且在聚合所述未聚合区域之前使所述未聚合区域回流。
8.根据权利要求7所述的方法,其中回流包括通过加热使所述未聚合区域平坦化。
9.根据权利要求7所述的方法,其中使所述OCL前体在所选择的区域中聚合包括来自至少一个OLED像素发射的自对准曝光。
10.一种制造OLED装置的方法,所述方法包括:
将光学耦合层(OCL)前体涂覆在OLED阵列的顶部表面上,形成平坦化的OCL前体表面;
掩蔽所述OCL前体的所选择的区域以阻止聚合;
使所述OCL前体聚合以形成具有未聚合区域的图案化OCL;
将转印膜层合至所述图案化OCL上,使得所述转印膜的转印层接触所述图案化OCL的主表面,其中所述转印层包括平坦外表面和嵌入式纳米结构化表面;
将所述转印膜从所述图案化OCL移除,从而在所述所选择的区域中留下所述转印层;以及
使所述图案化OCL的所述未聚合区域聚合,以将所述转印层的平坦外表面粘结到所述OCL的所述所选择的区域。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述OLED阵列的所述顶部表面包括粘合增进底漆层。
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