[发明专利]装配薄膜光电子器件的工艺

权利要求书

1.一种装配薄膜光电子器件的工艺，包括：

提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；

提供主基板，其中所述主基板包含聚合物材料；

在所述器件区的表面上沉积第一金属层；

在所述主基板上沉积第二金属层；

通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的玻璃化转变温度和所述主基板的熔化温度中的较低者。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述接合温度为在170°-250℃的范围内的温度。

3.根据权利要求1所述的工艺，其中所述聚合物材料包括聚酰亚胺膜。

4.根据权利要求1所述的工艺，其中所述接合是在真空下执行的。

5.根据权利要求1所述的工艺，其中在1MPa与40MPa内的接合压力下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起。

6.根据权利要求1所述的工艺，其中所述第一金属层和所述第二金属层独立地包含贵金属。

7.根据权利要求1所述的工艺，其中所述第一金属层和所述第二金属层包含相同的贵金属。

8.根据权利要求7所述的工艺，其中所述贵金属选自Au和Cu。

9.根据权利要求8所述的工艺，其中所述贵金属为Au并且所述接合温度为在50°-280℃的范围内的温度。

10.根据权利要求1所述的工艺，其中将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起达1秒-20分钟的范围内的时间。