[发明专利]用于制造光伏电池的接触结构的方法和光伏电池

权利要求书

1.用于制造光伏电池(100)的接触结构(104)的方法(800)，其中，该方法(800)包括如下步骤：

提供(802)用于光伏电池(100)的晶片(102)；

以一种掺杂材料对晶片(102)的至少一个面的面份额进行掺杂(804)，以便获得掺杂的区域(106)，其中，经掺杂的区域(106)构造为掺杂的条带(106)，并且所述条带(106)通过间隙(110)分开；并且

接触(806)经掺杂的区域(106)，以便制成接触结构(104)，其中，导体材料(108)施加到所述条带(106)上，使得所述条带(106)在两侧伸出于导体材料(108),

其中，在掺杂(804)步骤中对背面进行掺杂，以便在光伏电池(100)的背面上产生接触结构(104)，

其中，条带(106)覆盖晶片(102)的背面的按最小损耗和最大效率设计的面份额，

其中，在掺杂(804)步骤中在使用处理规则的情况下确定所述条带(106)的宽度和/或所述间隙(110)的宽度，内部损耗和传输损耗根据条带的宽度和/或间隙的宽度和/或掺杂浓度在处理规则中备份，通过所述处理规则求出损耗最小值并且相应地设计条带。

2.根据权利要求1所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中对晶片(102)的至少一个面的20％至90％之间的面份额进行掺杂。

3.根据权利要求2所述的方法(800)，其中，对晶片(102)的至少一个面的40％至60％之间的面份额进行掺杂。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中，经掺杂的区域(106)以至少一个主条带连同多个侧条带的形式构造，其中，所述侧条带呈指形地横向于所述主条带设置。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中引入另外的掺杂材料，以便获得另外的掺杂的区域，其中，所述另外的掺杂材料不同于所述掺杂材料，并且所述另外的掺杂的区域构造为另外的掺杂的条带，并且所述另外的条带通过所述间隙(110)与所述条带(106)分开。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中以一个掺杂剂浓度对所述条带(106)进行掺杂，使得在经掺杂的区域(106)中出现5Ω/平方至150Ω/平方之间的薄层电阻。

7.根据权利要求中6所述的方法(800)，其中，在经掺杂的区域(106)中出现20Ω/平方至60Ω/平方之间的薄层电阻。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中以所述掺杂材料的低于所述条带(106)的浓度对所述间隙(110)进行掺杂。

9.根据权利要求8所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中以一个掺杂剂浓度对所述间隙(110)进行掺杂，使得在所述间隙中出现80Ω/平方至500Ω/平方之间的薄层电阻。

10.根据权利要求8所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中，在第一阶段中在所述条带(106)和所述间隙(110)的区域中引入所述掺杂材料，以便达到所述间隙(110)的掺杂材料的浓度，并且在第二阶段中在所述条带(106)的区域中引入所述掺杂材料，以便达到经掺杂的区域(106)中的掺杂材料的浓度。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(800)，其中，在掺杂(804)步骤中使用离子注入工艺。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(800)，其中，经掺杂的区域(106)和所述间隙(110)构造有磷并且在具有n型基极和掺硼发射极的光伏电池(100)的背面上使用。

13.包括晶片(102)的光伏电池(100)，该晶片至少在一个面上具有接触结构(104)，该接触结构包括掺杂的条带(106)和施加的导体材料(108)，其中，所述条带(106)在两侧伸出于所述导体材料(108)，并且所述条带(106)通过间隙(110)分开，其中，条带(106)覆盖晶片(102)的背面的按最小损耗和最大效率设计的面份额，

其中，在使用处理规则的情况下能确定所述条带(106)的宽度和/或所述间隙(110)的宽度，内部损耗和传输损耗能根据条带的宽度和/或间隙的宽度和/或掺杂浓度在处理规则中备份，通过所述处理规则能求出损耗最小值并且相应地设计条带。