[发明专利]内部温度传感器有效
申请号: | 201480062132.5 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN105745518B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 中川慎也;清水正男;滨口刚 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | G01K7/00 | 分类号: | G01K7/00;B81B1/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 魏彦,向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内部 温度传感器 | ||
1.一种内部温度传感器,其特征在于,具有:
基材,当对测量对象的内部温度进行测量时,使其一个面与所述测量对象的表面接触,
热流量传感器,是设于所述基材的另一个面上的通过MEMS工艺制造的热流量传感器,具有薄膜部,所述薄膜部具有第一测温部以及第二测温部,并且,所述薄膜部形成有用于检测所述第一测温部与所述第二测温部之间的温度差的热电堆,所述薄膜部被热传导性构件支撑,以使得在所述第一测温部与所述基材之间存在空间且使所述薄膜部与所述基材平行,所述热传导性构件用于使从所述测量对象经由所述基材流入的热量传导至所述第二测温部,
温度传感器,用于测量所述基材的与所述热传导性构件接触的部分的温度或者所述薄膜部的所述第二测温部的温度。
2.如权利要求1所述的内部温度传感器,其特征在于,
所述热流量传感器的薄膜部具有放热促进结构,用于促进从所述第一测温部放热。
3.如权利要求1所述的内部温度传感器,其特征在于,
所述热流量传感器的薄膜部具有红外线反射结构,该红外线反射结构对照射向所述薄膜部的不与所述基材相向的一侧的面的红外线进行反射,从而防止该红外线加热所述薄膜部。
4.如权利要求1所述的内部温度传感器,其特征在于,
还具有覆盖所述热流量传感器和所述温度传感器的罩。
5.如权利要求4所述的内部温度传感器,其特征在于,
在所述罩的内表面配置有红外线吸收体。
6.如权利要求4所述的内部温度传感器,其特征在于,
所述罩的外表面反射红外线以及电磁波。
7.如权利要求5所述的内部温度传感器,其特征在于,
所述罩的外表面反射红外线以及电磁波。
8.如权利要求4~7中的任一项所述的内部温度传感器,其特征在于,
所述罩具有:
侧壁部,包围所述热流量传感器以及所述温度传感器,
绝热材料,设于所述侧壁部的开口部侧的端面,
顶板,隔着所述绝热材料而安装于所述侧壁部,并覆盖所述侧壁部的开口部。
9.如权利要求8所述的内部温度传感器,其特征在于,
所述顶板是散热器或者散热板。
10.如权利要求8所述的内部温度传感器,其特征在于,
还具有用于将来自所述薄膜部的所述第一测温部的热量传导至所述顶板的构件。
11.如权利要求1~7中的任一项所述的内部温度传感器,其特征在于,
还具有放大器,所述放大器对所述热流量传感器的输出和所述温度传感器的输出进行放大。
12.如权利要求11所述的内部温度传感器,其特征在于,
还具有运算部,所述运算部基于被所述放大器放大的所述热流量传感器的输出和所述温度传感器的输出,来计算所述测量对象的内部温度。
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