[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，所述发光元件包括：

层合结构，所述层合结构包括具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层、以及形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间并且包括有源层的第三化合物半导体层，其中，所述第二化合物半导体层的第二端面和所述第三化合物半导体层的第三端面相对于所述层合结构的虚拟垂直方向形成为相应的第二角度θ₂和第三角度θ₃并且满足以下关系：“θ₃的绝对值等于或大于0度且小于θ₂的绝对值”。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，|θ₂-θ₃|大于2.0度。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，|θ₂-θ₃|大于3.0度。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一化合物半导体层的第一端面相对于所述层合结构的虚拟垂直方向形成为第一角度θ₁并且满足以下关系：“θ₃的绝对值等于或大于0度且小于θ₁的绝对值”。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，|θ₁-θ₃|大于1.0度。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，|θ₃|小于或等于2.0度。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，|θ₃|是大约0度。

8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第三化合物半导体层的第三端面包括阶梯结构。

9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一化合物半导体层具有与所述第一端面相对设置的对向第一端面，所述第二化合物半导体层具有与所述第二端面相对设置的对向第二端面，所述第三化合物半导体层具有与所述第三端面相对设置的对向第三端面，以及

其中，所述第一端面、所述第二端面和所述第三端面是发光端面，并且所述对向第一端面、所述对向第二端面和所述对向第三端面是反光端面。

10.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述对向第一端面、所述对向第二端面和所述对向第三端面分别具有相对于所述虚拟垂直方向的与所述第一端面、所述第二端面和所述第三端面至少基本上相同的第一角度、第二角度和第三角度，使得所述层合结构的所述发光端面和所述反光端面的横截面形状至少基本上互补。

11.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括具有半极性或非极性主表面的衬底，所述层合结构形成在所述衬底上。

12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，所述衬底表面是从由{20-21}表面、{1-102}r表面、{1-101}表面、{11-22}表面、{2-201}表面和{0001}表面组成的组中选择的。

13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光元件是折射率引导型半导体激光元件，并且包括脊条结构。

14.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述层合结构是基于AlGaInN的化合物半导体。

15.根据权利要求14所述的发光元件，所述发光元件还包括基于GaN的衬底，并且所述第二化合物半导体层相对于GaN衬底的晶格畸变量具有负值。