[发明专利]光电转换装置有效
申请号: | 201480062323.1 | 申请日: | 2014-11-19 |
公开(公告)号: | CN105723521B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 金仓淳志;古久保有哉;仲山彻 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 齐秀凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 以及 装置 | ||
1.一种光电转换装置,构成为具备具有光电转换层的光探测层,其特征在于,
所述光电转换层具备含量子点层,所述含量子点层具有多个量子点以及包围该量子点的阻挡部,在所述含量子点层的厚度方向的剖面,多个所述量子点沿着所述含量子点层的表面相邻排列,提取该相邻的3个量子点,并描绘了连结位于两侧的2个量子点的所述表面侧的端部的直线时,位于中央的量子点从所述直线向所述表面侧突出了该位于中央的量子点的直径的1/2以上而构成突出量子点,所述光电转换层具有多个所述突出量子点,并且,在俯视所述含量子点层的表面时,多个所述突出量子点呈曲线状排列,
所述光探测层构成为在所述光电转换层的表面配置集电层,该集电层在所述光电转换层侧的表面具有凹部以及凸部。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置,其特征在于,
在所述光电转换层中,在俯视所述含量子点层的表面时,所述突出量子点间隔配置。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
在所述光电转换层中,所述含量子点层中的所述量子点和所述突出量子点具有相同的主要成分。
4.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
在所述光电转换层中,所述含量子点层中的所述量子点和所述突出量子点由所述阻挡部包覆,由所述量子点和所述阻挡部、以及所述突出量子点和所述阻挡部分别形成了核壳型的复合粒子。
5.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
在所述光电转换层中,所述含量子点层中的所述量子点通过范德华力而结合。
6.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
在所述光电转换层中,在所述含量子点层中的所述量子点间具有空隙。
7.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
在所述光电转换层中,所述含量子点层中的所述量子点的平均粒径在所述含量子点层的厚度方向上不同。
8.根据权利要求7所述的光电转换装置,其特征在于,
所述含量子点层在其厚度方向上具有上层、中央层以及下层,所述上层以及所述下层的平均粒径小于所述中央层的平均粒径。
9.根据权利要求1所述的光电转换装置,其特征在于,
所述光探测层还具备第1半导体层以及第2半导体层。
10.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
所述含量子点层具有:具有p型的量子点的含量子点层、和具有n型的量子点的含量子点层。
11.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
所述光电转换层被设置为所述突出量子点位于入射光侧。
12.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
所述集电层的厚度方向上的所述凸部的剖面为山切割状。
13.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
在从所述光电转换层侧俯视所述集电层时,所述凸部呈曲线状排列。
14.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
配置为所述集电层的所述凹部与所述光电转换层的所述突出量子点咬合。
15.根据权利要求1或2所述的光电转换装置,其特征在于,
所述集电层被配置为夹持所述光电转换层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480062323.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的