[发明专利]多阈值电压器件以及相关联的技术和结构

说明书

本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2013年12月16日提交的、名称为“MULTI-THRESHOLD VOLTAGEDEVICES AND ASSOCIATED TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS”的美国申请No.14/108,265的优先权，该美国申请以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开内容的实施例总体上涉及集成电路的领域，更具体而言，涉及多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。

背景技术

可以通过晶体管的阈值电压(V_th)来调制晶体管漏电和开关速度。新兴电路可以利用具有多个阈值电压的晶体管来优化功率耗散和时钟频率。例如，限制电路性能的子电路可以使用较低V_th的晶体管来提高开关速度，并且并不限制电路性能的子电路可以使用较高V_th的晶体管来减小功率损耗。调制晶体管的阈值电压的传统方法可以基于用不同量的杂质来掺杂沟道区。例如，如果较大数量的p型掺杂剂被注入到沟道中，则n型器件可具有较高的V_th。当不同的晶体管被注入不同水平的沟道掺杂剂时，可以实现不同的阈值电压。然而，掺杂沟道(例如，通过注入)可能会不利地影响对于给定漏电电平的晶体管的开关速度。掺杂剂原子可以散射移动电荷载流子，减小了载流子电荷迁移率。此外，晶体管性能变化可以随着增加的掺杂剂水平而加大。例如，V_th的变化可以随着由于随机的掺杂剂波动而增加的掺杂剂水平而加大。

附图说明

结合附图根据以下具体实施方式将容易理解实施例。为了便于进行描述，相似的附图标记指代相似的结构元件。以举例的方式而并非以限制的方式在附图的图中例示实施例。

图1示意性地例示了根据某些实施例的晶圆形式和单体化形式的示例性管芯的顶视图。

图2示意性地例示了根据某些实施例的集成电路(IC)组件的横截面侧视图。

图3示意性地例示了根据某些实施例的具有各个阈值电压的晶体管器件的示例性能带图。

图4示意性地例示了根据某些实施例的具有各个阈值电压的晶体管在制造的各个阶段期间的横截面侧视图。

图5示意性地例示了根据某些实施例的用于形成图4中的晶体管器件的示例性图案化技术。

图6示意性地例示了根据某些实施例的具有各个阈值电压的晶体管器件的另一个示例性能带图。

图7示意性地例示了根据某些实施例的具有各个阈值电压的晶体管器件在制造的各个阶段期间的横截面侧视图。

图8示意性地例示了根据某些实施例的用于形成图7中的晶体管器件的示例性图案化技术。

图9示意性地例示了根据某些实施例的具有各个阈值电压的晶体管器件的另一个示例性能带图。

图10示意性地例示了根据某些实施例的具有各个阈值电压的晶体管器件在制造的各个阶段期间的横截面侧视图。

图11示意性地例示了根据某些实施例的制造具有各个阈值电压的晶体管器件的方法的流程图。

图12示意性地例示了根据某些实施例的可以包括如本文中所描述的具有各个阈值电压的晶体管器件的示例性系统。

具体实施方式