[发明专利]用于制造光电子的半导体器件的方法和光电子的半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造多个光电子的半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：

a)提供多个半导体芯片(2)，所述半导体芯片在横向方向上彼此间隔开；

b)构成壳体本体复合件(30)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在所述半导体芯片之间；

c)构成多个切口(4)，所述切口分别邻接于半导体芯片并且所述切口在横向方向上通过相应的所述半导体芯片的侧面(20)和所述壳体本体复合件限界；以及

d)将所述壳体本体复合件分割成多个光电子的半导体器件，其中每个半导体器件具有所述壳体本体复合件的一部分作为壳体本体(3)和至少一个半导体芯片，并且其中所述半导体芯片分别在所述半导体器件的与安装面(15)相对置的辐射出射面(10)上没有所述壳体本体的材料，

其中

为了构成所述切口在步骤b)之前借助改型材料对所述半导体芯片改型，使得所述半导体芯片的侧面至少部分地被覆盖，并且所述改型材料在步骤b)中由用于所述壳体本体复合件的模塑料改型，并且所述改型材料是辅助材料(41)，所述辅助材料在步骤b)之后移除。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述切口是能透过辐射的或者具有至少80％的反射率。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中所述半导体芯片分别在所述半导体器件的所述安装面上没有所述壳体本体的材料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中为了构成所述切口在步骤b)之前借助改型材料对所述半导体芯片改型，使得所述半导体芯片的所述侧面至少部分地被覆盖，并且所述改型材料在步骤b)中由用于所述壳体本体复合件的模塑料改型。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中在施加所述改型材料时所述半导体芯片设置在辅助载体(5)上，并且所述改型材料被施加成，使得所述改型材料分别至少部分地覆盖所述半导体芯片的侧面和所述辅助载体。

6.根据权利要求4所述的方法，

其中将所述改型材料施加到辅助载体(5)上并且将所述半导体芯片压入到所述改型材料中，使得所述改型材料至少局部地覆盖所述半导体芯片的所述侧面。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中在步骤b)之后借助填充材料填充所述切口。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，

其中在步骤b)中包覆所述半导体芯片，并且接下来打薄所述壳体本体复合件，使得所述半导体芯片局部地露出。

9.一种光电子的半导体器件(1)，所述半导体器件具有安装面(15)和与所述安装面相对置的辐射出射面(10)，其中

-所述半导体器件具有设置用于产生和/或接收辐射的半导体芯片(2)；

-所述半导体器件具有壳体本体(3)，所述壳体本体在横向方向上包围所述半导体芯片；

-所述半导体芯片在所述辐射出射面上没有所述壳体本体的材料；以及

-切口邻接于所述半导体芯片的侧面(20)，所述切口在平行于所述安装面伸展的横向方向上通过所述半导体芯片的侧面和所述壳体本体限界；并且

所述半导体芯片在竖直方向上完全地延伸穿过所述壳体本体。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中所述切口沿着所述半导体芯片的整个环周伸展并且从所述辐射出射面起观察朝向所述安装面渐缩。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中所述切口包含辐射转换材料。

12.根据权利要求9或10所述的半导体器件，

其中所述切口具有至少80％的反射率。