[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201480062816.5 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN105723496B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 梶原雄二 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C14/58;H01L21/3065;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其包括:
室,所述室的内部能够被抽真空;
基板保持件,所述基板保持件设置在所述室的内部,并且所述基板保持件包括能够冷却基板的基板载置面;
遮蔽件,所述遮蔽件设置在所述室的内部并且包括侧壁部,所述侧壁部被设置成围绕所述基板载置面的侧方;
遮蔽件冷却单元,所述遮蔽件冷却单元被构造成冷却所述遮蔽件;和
控制装置,所述控制装置被构造成在所述基板载置于所述基板载置面之前控制所述遮蔽件冷却单元低温冷却所述遮蔽件从而能够捕获气体分子。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述遮蔽件还包括与所述基板载置面相对的上壁部。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述侧壁部相对于所述基板载置面的法线方向倾斜,从而使所述侧壁部的直径在远离所述基板载置面的方向上增加。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述遮蔽件还包括围绕所述基板保持件的侧部的裙壁部。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
加热器,所述加热器位于所述遮蔽件的所述基板保持件所在侧。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
遮蔽件驱动机构,其被构造成沿着所述基板载置面的法线方向升降所述遮蔽件。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述侧壁部的法线平行于所述基板载置面。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制装置被构造成:当所述基板位于所述室内时,控制所述遮蔽件冷却单元以使所述遮蔽件维持在低温从而能够捕获气体分子。
9.一种通过使用根据权利要求1所述的基板处理装置来冷却基板的方法,其包括以下步骤:
冷却所述遮蔽件;
所述冷却后,将所述基板载置于所述基板载置面;以及
在所述基板保持件和所述遮蔽件被冷却的状态下冷却所述基板。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述冷却步骤中,所述遮蔽件被低温冷却从而能够捕获气体分子,以及在所述载置步骤中,所述遮蔽件维持在低温。
11.一种对根据权利要求5所述的基板处理装置进行维护的方法,其包括以下步骤:
在所述基板未位于所述室内的状态下使所述加热器工作。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在通过使用根据权利要求1所述的基板处理装置来冷却第一基板的步骤与通过使用根据权利要求1所述的基板处理装置来冷却第二基板的步骤之间进行使所述加热器工作的步骤。
13.一种通过使用根据权利要求6所述的基板处理装置来冷却基板的方法,其包括以下步骤:
在通过使用所述遮蔽件驱动机构抬升了所述遮蔽件的状态下,将所述基板移动到位于所述基板载置面上方但不与所述基板载置面接触的位置;
通过使用所述遮蔽件驱动机构使所述遮蔽件下降;
将所述基板载置于所述基板载置面;以及
在所述基板保持件和所述遮蔽件被冷却的状态下冷却所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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