[发明专利]硅锗FinFET形成

权利要求书

1.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)中的鳍的方法，包括：

暴露耦合到所述FinFET的基板的单晶鳍结构，所述单晶鳍结构具有第一材料；

在降低所述单晶鳍结构的非晶化的第一温度将第二材料注入所述单晶鳍结构的暴露部分，经注入单晶鳍结构包括至少20％的第一材料；以及

在减少经注入鳍结构中的晶体缺陷的第二温度对经注入鳍结构进行退火以形成所述鳍。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包含硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料是锗(Ge)。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入以不垂直于所述鳍的任何表面的角度发生。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度高于所述第二温度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料的第一原子半径与所述第二材料的第二原子半径相差小于15％。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在第三温度将第三材料注入所述单晶鳍结构的所述暴露部分，其中所述第三温度降低所述单晶鳍结构的非晶化。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：将所述FinFET集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。

9.一种硅锗(SiGe)鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

基板，以及

包括至少20％的所注入锗的单晶鳍结构，所述单晶鳍结构使用缓变结耦合到所述基板。

10.如权利要求9所述的SiGeFinFET，其特征在于，所述基板包含硅。

11.如权利要求9所述的SiGeFinFET，其特征在于，所述单晶鳍结构具有降低的非晶化。

12.如权利要求9所述的SiGeFinFET，其特征在于，所述锗以不垂直于所述单晶鳍结构的任何表面的角度注入。

13.如权利要求9所述的SiGeFinFET，其特征在于，所述SiGeFinFET集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。

14.一种硅锗(SiGe)鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

用于支撑电流沟道的装置；以及

包括至少20％的所注入锗的用于载流的装置，其中所述载流装置使用缓变结耦合到所述支撑装置。

15.如权利要求14所述的SiGeFinFET，其特征在于，所述支撑装置包括晶体硅。

16.如权利要求14所述的SiGeFinFET，其特征在于，所述载流装置具有降低的非晶化。

17.如权利要求14所述的SiGeFinFET，其特征在于，所述锗以不垂直于所述载流装置的任何表面的角度注入。

18.如权利要求14所述的FinFET，其特征在于，所述FinFET被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。

19.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)中的硅锗(SiGe)鳍的方法，包括以下步骤：

暴露耦合到基板的单晶鳍结构；

在降低所述单晶鳍结构的非晶化的第一温度将第一材料注入所述单晶鳍结构的暴露部分，经注入单晶鳍结构包括至少20％的第一材料；以及

在减少经注入鳍结构中的晶体缺陷的第二温度对经注入鳍结构进行退火。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：将所述FinFET集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。