[发明专利]电子芯片支承件的制造方法、芯片支承件以及这种支承件的组件

权利要求书

1.一种至少一个电子芯片支承件(12；312)的制造方法，所述支承件由板(26；326)制成，所述板包括：

-用于与芯片读取器接触的第一表面(16；316)，

-与所述第一表面相反的第二表面(20；320)，所述第二表面由第一导电材料层(A)覆盖并且用于与无线电天线联接，以及

-由电绝缘材料制成的使所述第一表面(16)与所述第二表面(20)分开的芯部(35)，

所述方法包括以下步骤：

-a)沿与所述板垂直的方向(X36)钻(100)穿过所述板(26；326)的至少一个孔(36，38；336，338)，

-b)将第二导电材料层(C)放置(102)在所述第一表面(16；316)上，所述第二导电材料层能够覆盖一个或多个孔(36，38；336，338)，以及

-c)分别在第一表面(16；316)和第二表面(20；320)上化学蚀刻(108)第一电路(32；332)和第二电路(34；334)，

其特征在于，所述方法包括在化学蚀刻(108)步骤之前的以下步骤：

-b1)将第三导电材料层(D)放置(104)在一个或多个孔(36，38；336，338)中，所述第三导电材料层(D)由适用于覆盖所述芯部(35)的在对应的一个或多个孔(36，38；336，338)中的电绝缘材料的导电材料制成，在化学蚀刻(108)步骤c)之后，第三导电材料层使第一电路(32；332)与第二电路(34；334)电气联接。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述制造方法包括使导电材料层在用于使芯片与无线电天线联结的联结点(52；352)上电解沉积，所述联结点与对应的孔(38；338)电气联接，所述对应的孔本身使第一电路(32；332)与第二电路(34；334)联接。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在放置(104)步骤b1)之后并且在化学蚀刻(108)步骤c)之前，所述方法包括以下步骤：

-b2)通过仅使两个表面(16，20；316，320)中的一个与供电源连接而使第四导电材料层(E)在第二表面(20)上并且在每个孔(36，38；336，338)的内部电解沉积(106)。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在化学蚀刻(108)步骤之后，所述方法包括以下步骤：

-d)使第五导电材料层(F)在第一表面(16；316)上电解沉积(112)，

-e)使第六导电材料层(G)在第二表面(20；320)上电解沉积(114)，

其特征在于，第五导电材料层和第六导电材料层的电解沉积(112，114)步骤通过使第一电路(32)以及第二电路(34)与仅在所述第一电路(32)一侧的供电源(212)连接来实施。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在第五导电材料层(F)的电解沉积(112)步骤时实施第一单面电解，第二表面(20；320)被第一遮盖构件(220)遮盖，并且在第六导电材料层(G)的电解沉积步骤时实施第二单面电解，第一表面(16；316)被第二遮盖构件遮盖。

6.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，在第五导电材料层(F)和第六导电材料层(G)的电解沉积(112，114)之前，镍层在第三导电材料层(D)和第四导电材料层(E)中的至少一个上电解沉积。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其特征在于，第三导电材料层(D)由基于碳的材料制成。

8.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，第五导电材料层(F)和第六导电材料层(G)由基于金的材料制成。