[发明专利]对动态汽化减少改进的低温容器、超导磁体和MR检查系统

权利要求书

1.一种用于磁共振检查系统(110)中的低温容器(200)，包括：

外300K容器(204)；以及

辐射屏蔽(206)，其被定位在所述外300K容器(204)的内部；以及

内安装结构(202)，其被定位在所述辐射屏蔽(206)内，

其中，

所述辐射屏蔽(206)具有至少一个干摩擦区域以增加所述辐射屏蔽的机械阻尼，在所述至少一个干摩擦区域中，干摩擦是基于由机械振动和共振导致的所述辐射屏蔽(206)的变形而生成的。

2.根据权利要求1所述的低温容器(200)，其中，所述低温容器(200)用在磁共振检查系统(110)中以将所述磁共振检查系统(110)的超导主线圈(142、144)安装在所述低温容器中，并且其中，所述内安装结构(202)用于安装所述超导主线圈(142、144)。

3.根据权利要求1所述的低温容器(200)，其中，

所述至少一个干摩擦区域包括至少两个屏蔽层(208、210)，所述至少两个屏蔽层以表面接触的方式彼此堆叠，其中，所述至少两个屏蔽层(208、210)局部地连接到彼此。

4.根据权利要求3所述的低温容器(200)，其中，所述至少两个屏蔽层(208、210)通过点焊局部地连接到彼此。

5.根据权利要求3所述的低温容器(200)，其中，所述至少两个屏蔽层(208、210)通过滚压局部地连接到彼此。

6.根据权利要求3所述的低温容器(200)，其中，所述辐射屏蔽(206)的至少一个屏蔽层(208、210)由铝制成。

7.根据权利要求3所述的低温容器(200)，其中，所述辐射屏蔽(206)的至少两个屏蔽层(208、210)由不同的材料制成。

8.根据权利要求3所述的低温容器(200)，其中，所述辐射屏蔽(206)的至少两个屏蔽层(208、210)具有不同的厚度。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的低温容器(200)，其中，所述辐射屏蔽(206)在所述低温容器(200)的至少一个圆柱形壁(214、216)中具有均匀厚度。

10.根据权利要求1至8中的任一项所述的低温容器(200)，其中，所述至少一个干摩擦区域包括局部补块，所述局部补块被附接到所述辐射屏蔽(206)。

11.根据权利要求1至8中的任一项所述的低温容器(200)，其中，至少一个干摩擦区域被提供在所述低温容器(200)的圆柱形壁(214、216)的纵向端部中的一个处。

12.根据权利要求1至8中的任一项所述的低温容器(200)，其中，至少一个干摩擦区域被提供在所述低温容器(200)的一个边缘(218)处。

13.根据权利要求2所述的低温容器(200)，其中，所述内安装结构(202)被提供作为用于将所述超导主线圈(142、144)安装在其中的内容器，其中，所述内容器(202)适于包含制冷剂。

14.一种用于磁共振检查系统(110)的超导磁体(114)，包括一组超导主线圈(142、144)，所述一组超导主线圈被布置在根据权利要求1至13中的任一项所述的低温容器(200)中。

15.一种磁共振检查系统(110)，包括根据权利要求14所述的超导磁体(114)。