[发明专利]经处理的混合基质聚合物膜

权利要求书

1.一种经处理的混合基质聚合物膜，包括聚合物基质和多个至少第一 金属有机骨架(MOF)，其中多个第一MOF通过共价键或氢键或范德华相互 作用与聚合物基质相连接，其中所述聚合物基质包括聚酰亚胺聚合物、聚醚 酰亚胺聚合物、自具微孔聚合物(PIM)、或所述聚合物的至少两种的共混物， 并且其中所述聚合物膜经等离子体处理、电磁辐射处理或热处理。

2.根据权利要求1所述的经处理的混合基质聚合物膜，其中，所述多 个第一MOF通过MOF的官能团和聚合物基质中聚合物的活性基团之间形 成的共价键与所述聚合物基质连接。

3.根据权利要求2所述的经处理的混合基质聚合物膜，其中，所述多 个第一MOF为沸石咪唑酯骨架(ZIF)，其中所述官能团在第一ZIF的咪唑 酯配体上。

4.根据权利要求3所述的经处理的混合基质聚合物膜，其中，所述咪 唑酯配体为已经被氨基或亚胺基官能化的咪唑甲醛配体。

5.根据权利要求3所述的经处理的混合基质聚合物膜，其中，其中所 述官能团为氨基或亚胺基。

6.根据权利要求3到5中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其中，每个第一ZIF包括(1)已经被氨基官能化的咪唑甲醛配体和(2) 甲基咪唑配体。

7.根据权利要求2到6中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其中，第一ZIF中1％至99％的咪唑酯配体被官能团官能化。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其中，多个第一ZIF为ZIF-8-90或ZIF-8-90-EDA。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其还包含与多个第一ZIF不同的多个至少第二ZIF。

10.根据权利要求9所述的经处理的混合基质聚合物膜，其中，多个 第一ZIF为ZIF-8-90，多个第二ZIF为ZIF-8-90-EDA。

11.根据权利要求1或2中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜，其 中所述多个第一MOF为网状金属有机骨架-3(IRMOF-3)。

12.根据权利要求1到11中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其还包含与第一MOF不同的多个至少第二MOF。

13.根据权利要求12所述的经处理的混合基质聚合物膜，其中，第一 MOF为ZIF，第二MOF为IRMOF-3。

14.根据权利要求12所述的经处理的混合基质聚合物膜，其中，第一 MOF为第一ZIF，第二MOF为与所述第一ZIF不同的ZIF。

15.根据权利要求1到14中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其中第一MOF或第二MOF包含Zn、Cu、Co或Fe、或其任意组合。

16.根据权利要求1到15中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其中第一MOF的孔隙大小为约0.1nm至5nm。

17.根据权利要求1到16中任一项所述的经处理的混合基质聚合物膜， 其中所述混合基质聚合物膜包含5摩尔％至90摩尔％的MOF。

18.根据权利要求1到17中任一项所述的方法，其中，所述聚合物基 质包含聚酰亚胺聚合物，例如6-FDA-均四甲苯或6FDA-DAM。

19.根据权利要求1到17中任一项所述的方法，其中，所述聚合物基质 包含聚醚酰亚胺聚合物，例如Ultem、Extem、或Siltem。

20.根据权利要求1到17中任一项所述的方法，其中，所述聚合物基 质包含PIM，例如PIM-1。

21.根据权利要求1到20中任一项所述的方法，其中，所述聚合物基 质包含聚合物共混物，例如聚酰亚胺和PIM的共混物，聚酰亚胺和聚醚酰亚胺 的共混物，聚醚酰亚胺和PIM的共混物，或聚酰亚胺、PIM和聚醚酰亚胺的共 混物。