[发明专利]用于原位清洁工艺腔室的方法和装置

说明书

本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室，以便选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。

技术领域

本公开内容的实施方式总体涉及基板处理设备。

背景技术

基板处理系统(诸如等离子体反应器)可用来在支撑于处理腔室内的基板上沉积、蚀刻或形成层。所述工艺可能在处理腔室的各部分上造成不当的沉积。处理腔室的清洁工艺周期性地进行清洁，以去除可能积聚在腔室中的不当的沉积以及废物。在一些清洁工艺(有时称为原位清洁(In-situ cleaning))中，清洁气体被引入到腔室以对腔室以及内部部件进行清洁，并且接着将清洁气体排至适当处理设备。

本发明人已观察到在一些原位清洁工艺中，清洁气体并未充分清洁腔室表面并且可能完全未接触到一些表面。

因此，本发明人在本文中已提供可使原位清洁工艺性能提高的装置和方法。

发明内容

本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。在一些实施方式中，一种基板处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体的上部部分，所述腔室盖包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底耦接到所述腔室主体的下部部分，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室并且适于选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开，其中所述第二流动通道、所述内部容积、所述泵环和所述第二出口构成第一流路，并且所述第二流动通道、所述内部容积、所述第一流动通道和所述第一出口构成第二流路。所述第一流动通道还进一步适于选择性地使所述内部容积与第二入口相通或将所述内部容积密封以与所述第二入口隔开。

在一些实施方式中，一种工艺腔室清洁方法包括：使清洁气体穿过腔室底通过第一流动通道引入到腔室主体的内部容积；提供所述清洁气体的可选第一流路，所述第一流路包括所述第一流动通道、所述腔室的内部容积、所述腔室内的泵环和第一出口；提供所述清洁气体的可选第二流路，所述第二流路包括所述第一流动通道、所述腔室的所述内部容积和穿过腔室盖的第二出口；以及选择流路以便提供清洁气体流路。在一些实施方式中，所述方法可进一步包括以下任一或两者：选择所述第一流路以便提供第一清洁气体流路；以及选择所述第二流路以便提供第二清洁气体流路。

以下描述本公开内容的其他和进一步实施方式。

附图简述

可以参考附图中描绘的本公开内容的例示性的实施方式来理解本公开内容的以上简要概述并在以下更详细描述的实施方式。然而，应当注意，附图仅示出本公开内容的典型实施方式，因此不应被视为对本公开内容范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。

图1描绘根据本公开内容的实施方式的处理腔室的侧截面示意图。