[发明专利]外延硅片和外延硅片的制造方法

权利要求书

1.外延硅片的制造方法，其为在硅片的表面设置有外延膜的外延硅片的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

使所述外延膜在所述硅片的表面生长的外延膜生长工序、以及

将所述外延硅片的温度从使所述外延膜生长时的温度开始下降的降温工序，

所述降温工序中，根据所述外延膜的膜厚和所述硅片的氧浓度控制所述外延硅片的降温速率，以使所述外延膜中的不包括该外延膜的表面在内的位置的氧浓度达到2.5×10¹⁶atoms/cm³（ASTM F-121,1979）以上。

2.根据权利要求1所述的外延硅片的制造方法，其特征在于，

将所述外延膜的膜厚设为X、

将所述硅片的氧浓度设为Y、

将所述降温速率设为Z，

所述降温工序以满足如下式（1）的方式进行，

Z≤3.55×X^-6.47×Y^5.15 … （1），

外延膜的膜厚的单位是μm，硅片的氧浓度的单位是×10¹⁷atoms/cm³（ASTM F-121,1979），降温速率的单位是℃/min。