[发明专利]EUV投射光刻的照明系统有效

专利信息
申请号: 201480063956.4 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN105765460B 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: M.帕特拉;R.米勒 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军;张邦帅
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: euv 投射 光刻 照明 系统
【权利要求书】:

1.一种EUV投射光刻的照明系统的偏转光学单元(13;35;36;37,38;39;40)

-包含多个偏转反射镜(D1至D4;D1至D5,D1至D6;D1至D8),EUV辐射(3)以掠入射在共同的偏转入射平面(xz)中连续地照射在所述多个偏转反射镜上,

-其中设置了用于掠入射的至少四个偏转反射镜(D1至D4),所述至少四个偏转反射镜在所述偏转入射平面(xz)中联合地具有多于70°的偏转效应,

-其中,所述偏转反射镜(D1至D8)的至少之一实施为凸柱形反射镜和/或所述偏转反射镜(D1至D8)的至少之一实施为凹柱形反射镜。

2.如权利要求1所述的偏转光学单元,其特征在于,所述偏转反射镜(D1;D1至D8;D1至D4)的至少之一实施为能以驱动方式位移。

3.如权利要求1或2所述的偏转光学单元,其特征在于,所述偏转反射镜(D1至D8)的至少之一实施为具有以驱动方式可变的曲率半径。

4.一种EUV投射光刻的照明系统的光束引导光学单元(10),包括如权利要求1至3中任一项所述的偏转光学单元,其特征在于,所述光束引导光学单元(10)包含聚焦组合件(14;41;45;46;49;52;55),其将光束传输至所述光束引导光学单元(10)的中间焦点(42)。

5.如权利要求4所述的光束引导光学单元(10),其特征在于,所述聚焦组合件(14;41;45;46;49;52;55)包含至少两个反射镜(47,48;50;51;53,54),即

-一方面至少一个椭球面反射镜(47;50;54),以及

-另一方面至少一个抛物面反射镜(53)或至少一个双曲面反射镜(48;51)。

6.一种EUV投射光刻的照明系统,

-包含光束成形光学单元(6),用于从基于同步加速器辐射的光源(2)的EUV原始光束(4)产生EUV聚集输出光束(7),

-包含输出耦合光学单元(8),用于从所述EUV聚集输出光束(7)产生多个EUV单独输出光束(9i),

-在各个情况中包含如权利要求4和5中任一项所述的光束引导光学单元(10),用于引导各EUV单独输出光束(9i)朝向物场(11),光刻掩模(12)可布置在所述物场中。

7.如权利要求6所述的照明系统,其特征在于,所述光束成形光学单元(6)实施为产生具有纵横比贡献1的EUV聚集输出光束(7),其中,所述输出耦合光学单元(8)和所述光束引导光学单元(10)的组合实施为随后产生N个EUV单独输出光束(91,9N),其具有的纵横比贡献分别为1:1。

8.如权利要求6或7所述的照明系统,包含EUV光源(12)。

9.一种EUV光刻的投射曝光设备(1),

-包含如权利要求6至8中任一项所述的照明系统,

-包含用于将掩模母版(12)安装在物场(11)中的掩模母版保持器(20),照明系统的照明光(3)照射在所述掩模母版上,

-包含投射光学单元(19),用于将照明场(11)成像在像平面(23)中的像场(22)中,

-包含用于将晶片(24)安装在所述像平面(23)中的晶片保持器(25),使得布置在所述物场(11)中的掩模母版结构在投射曝光期间成像至布置在所述像场(22)中的晶片部分上。

10.一种制造结构化部件的方法,包含以下方法步骤:

-提供掩模母版(12)和晶片(24),

-借助于如权利要求9所述的投射曝光设备(1),将所述掩模母版(12)上的结构投射至所述晶片(24)的光敏层上,

-在所述晶片(24)上制造微结构或纳米结构。

11.一种根据如权利要求10所述的方法制造的结构化部件。

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