[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有下述步骤：

a)提供辅助载体(2)；

b)将多个半导体芯片(4)固定在所述辅助载体上，其中所述半导体芯片在横向方向上彼此间隔开；

c)至少在所述半导体芯片之间的区域(22)中构成反射层(6)；

d)构成壳体本体复合件(8)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在所述半导体芯片之间；

e)移除所述辅助载体；以及

f)将所述壳体本体复合件分割成多个光电子半导体器件(100)，其中每个半导体器件具有至少一个半导体芯片、所述反射层的一部分和作为壳体本体(82)的所述壳体本体复合件的一部分，并且其中为了构成所述反射层(6)在所述步骤b)和c)之间构成种子层(14)，所述种子层覆盖所述半导体芯片之间的区域(22)中的所述辅助载体(2)以及所述半导体芯片的侧面(46)和后侧(44)，并且所述反射层在步骤c)中至少电泳沉积在所述种子层的子部段上。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在步骤e)之后构成转换层(10)，并且在步骤f)中被分割的所述半导体器件中的每一个都具有所述转换层的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述反射层(6)在步骤c)中仅在所述半导体芯片之间的区域中构成，并且所述半导体芯片的侧面(46)和后侧(44)保持至少达到其10％的面积不被所述反射层覆盖。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中在步骤c)中，在所述半导体芯片的侧面(46)和后侧(44)上还构成所述反射层(6)，并且所述反射层(6)覆盖所述侧面和后侧的面积的至少80％。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述半导体芯片(4)分别在所述半导体器件的与安装面相对置的辐射出射面上没有所述壳体本体复合件(8)的材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述半导体芯片分别在所述半导体器件的所述安装面上没有所述壳体本体复合件(8)的材料。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中在步骤d)中通过模压成型或者通过薄膜辅助的浇注法构成所述壳体本体复合件(8)。

8.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述半导体芯片(4)在步骤d)中包覆成型，并且接下来将所述壳体本体复合件(8)薄化，使得所述半导体芯片局部地露出。

9.一种光电子半导体器件(1)，其中所述半导体器件是表面发射器，并且

-所述半导体器件具有设置用于产生和/或接收辐射的半导体芯片(4)；

-所述半导体器件具有壳体本体(82)，所述壳体本体沿着横向方向围绕所述半导体芯片；

-在所述壳体本体上设置有反射层(6)，所述反射层具有散射颗粒；

-所述半导体芯片具有种子层(14)，所述种子层覆盖所述半导体芯片的侧面(46)，其中所述反射层通过电泳沉积到所述种子层上；和

-所述壳体本体的外侧面不被所述反射层覆盖。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

所述半导体器件具有转换层(10)，其中所述反射层至少局部地设置在所述转换层和所述壳体本体(82)之间。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述壳体本体复合件具有填充的浇注树脂，所述浇注树脂的填充度在70％和90％之间。