[发明专利]异质半导体材料集成技术

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底；

氧化物结构，所述氧化物结构形成在所述衬底的部分上方并彼此完全分隔开；以及

晶格失配的半导体结构，所述晶格失配的半导体结构形成在所述氧化物结构上并且嵌入在所述氧化物结构的上部表面内，其中，所述晶格失配的半导体结构包括晶体刻面边缘。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述半导体结构和所述氧化物结构共同提供能够在其上填入另外的层和/或组件的平坦表面。

3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：半导体材料层，所述半导体材料层形成在所述衬底上，并且至少部分地覆盖所述氧化物结构的一个或多个侧壁。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述半导体结构、所述氧化物结构、以及所述半导体层共同提供能够在其上填入另外的层和/或组件的平坦表面。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述衬底至少部分地覆盖所述氧化物结构的一个或多个侧壁。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述半导体结构、所述氧化物结构、以及所述衬底共同提供能够在其上填入另外的层和/或组件的平坦表面。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的集成电路，其中，所述半导体结构是完全无位错缺陷的。

8.根据权利要求1-6中任意一项所述的集成电路，其中，所述衬底包括以下材料中的至少一种：硅(Si)、锗(Ge)、和/或电介质材料。

9.根据权利要求1-6中任意一项所述的集成电路，其中，所述衬底包括蓝宝石(Al₂O₃)。

10.根据权利要求1-6中任意一项所述的集成电路，其中，所述半导体结构包括以下材料中的至少一种：锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、砷化铟镓(InGaAs)、氮化镓(GaN)、和/或磷化铟(InP)。

11.根据权利要求1-6中任意一项所述的集成电路，其中，所述氧化物结构包括以下材料中的至少一种：二氧化硅(SiO₂)和/或氧化铝(Al₂O₃)。

12.一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括：

在第一衬底上方形成第一半导体层，其中，所述第一半导体层与所述第一衬底是晶格失配的；以及

将所述第一半导体层的部分从所述第一衬底转移到第二衬底，其中，所述第一半导体层的经转移的部分形成在氧化物结构上，嵌入在所述氧化物结构的上部表面内，并且包括晶体刻面边缘，所述氧化物结构形成在所述第二衬底的部分上方并彼此完全分隔开。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一衬底上方形成所述第一半导体层包括：

使用异质外延工艺在一个或多个开口内的所述第一衬底上生长所述第一半导体层，所述一个或多个开口被图案化到形成于所述第一衬底上方的电介质层中；以及

使用外延横向过生长(ELO)工艺在所述电介质层的上部表面的至少部分上方进一步生长所述第一半导体层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，被图案化到所述电介质层中的所述一个或多个开口具有一高度-宽度高宽比，所述高度-宽度高宽比提供对源自所述第一衬底与所述晶格失配的第一半导体层的界面的位错缺陷的高宽比捕获(ART)。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括：

使用异质外延工艺在所述第二衬底上形成第二半导体层。