[发明专利]压电薄膜及其制造方法以及压电元件有效
| 申请号： | 201480064741.4 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105765751B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 梅田圭一;本多淳史;秋山守人;西久保桂子;长濑智美 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C23C14/34;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/316;H03H3/02;H03H9/17;H04R17/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 及其 制造 方法 以及 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种压电薄膜，是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，所述铌包含5价铌和4价铌，相对于所述镁100原子％，含有所述铌31～120原子％，
所述镁和铌的合计含量相对于所述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜，其中，所述镁和铌的合计含量相对于所述镁、铌及铝的含量的总和在30～63原子％的范围。
3.根据权利要求1或2所述的压电薄膜，其中，相对于所述镁100原子％，含有所述铌44～87原子％。
4.一种压电薄膜的制造方法，是权利要求1～3中任一项所述的压电薄膜的制造方法，使用由铝构成的第1靶、由镁构成的第2靶和由铌构成的第3靶在氮气环境下通过3元溅射法进行成膜。
5.一种压电薄膜的制造方法，是权利要求1～3中任一项所述的压电薄膜的制造方法，使用由铝、镁及铌的合金构成的靶在氮气环境下通过1元溅射法进行成膜。
6.一种压电元件，具备权利要求1～3中任一项所述的压电薄膜和以与所述压电薄膜相接的方式设置的第1、第2电极。
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