[发明专利]放大器装置

权利要求书

1.一种放大器装置，包括：

-第一差分级(DS1)，包括具有第一阈值电压(Vth1)的至少两个晶体管(M1，M1')，

-至少第二差分级(DS2)，包括具有与所述第一阈值电压(Vth1)不同的第二阈值电压(Vth3)的至少两个晶体管(M3，M3')，

-所述第一差分级和所述第二差分级(DS1，DS2)的晶体管中的至少一个(M1，M3)分别具有共同耦接至所述放大器装置的输入的控制输入，

-所述第一差分级(DS1)的至少一个晶体管(M1)和所述第二差分级(DS2)的一个晶体管(M3)布置在共同电流路径中，所述共同电流路径耦接至所述放大器装置的输出，

其中，所述第一差分级(DS1)的两个晶体管(M1，M1')具有共同源极节点，并且其中，所述第二差分级(DS2)的两个晶体管(M3，M3')具有共同源极节点，

其中，所述第二差分级(DS2)的两个晶体管(M3，M3')的共同源极节点耦接至所述第一差分级(DS1)的晶体管中的一个晶体管(M1)的漏极端子，并且其中，所述第二差分级包括具有共同源极节点的另外的晶体管对，该共同源极节点耦接至所述第一差分级的晶体管中的另一个晶体管(M1')的漏极端子，从而形成级联结构。

2.根据权利要求1所述的放大器装置，所述放大器装置的输入包括具有两个端子的差分输入，所述两个端子中的第一端子耦接至所述第一差分级(DS1)的至少一个晶体管(M1)的控制输入并耦接至所述第二差分级(DS2)的至少一个晶体管(M3)的控制输入，以及所述差分输入端子中的第二端子耦接至所述第一差分级(DS1)的至少另一晶体管的控制输入并耦接至所述第二差分级(DS3)的至少另一晶体管的控制输入。

3.根据权利要求1或2所述的放大器装置，其中，所述共同电流路径还包括负载。

4.根据权利要求3所述的放大器装置，其中，所述负载包括下述中的至少一个：电阻器、电流源(ID)、电流镜、级联晶体管。

5.根据权利要求1或2所述的放大器装置，还包括互补的第一差分级，所述互补的第一差分级包括与所述第一差分级的晶体管(M1，M1')相比具有相反导电类型的至少两个晶体管(M2，M2')，并且所述放大器装置包括至少互补的第二差分级，所述互补的第二差分级包括与所述第二差分级的晶体管(M3，M3')相比具有相反导电类型的至少两个晶体管(M4，M4')。

6.根据权利要求1或2所述的放大器装置，其中，所述第一差分级和/或所述第二差分级的一个晶体管的至少一个控制输入连接至恒定偏置电压。

7.根据权利要求1或2所述的放大器装置，其中，所述晶体管是金属氧化物半导体晶体管类型或其他场效应晶体管类型。

8.根据权利要求1或2所述的放大器装置，其中，所述第一阈值电压是由所述第一差分级的晶体管的栅氧化层的第一厚度来限定的，并且其中，所述第二阈值电压是由所述第二差分级的晶体管的栅氧化层的第二厚度来限定的，所述第二厚度不同于所述第一厚度。

9.根据权利要求1或2所述的放大器装置，其中，所述第一阈值电压是由所述第一差分级的晶体管的第一掺杂来限定的，并且其中，所述第二阈值电压是由所述第二差分级的晶体管的第二掺杂来限定的，所述第二掺杂不同于所述第一掺杂。

10.根据权利要求1或2所述的放大器装置，其中，所述第一阈值电压是由所述第一差分级的晶体管的第一体电压来限定的，并且其中，所述第二阈值电压是由所述第二差分级的晶体管的第二体电压来限定的，所述第二体电压不同于所述第一体电压。

11.根据权利要求1或2所述的放大器装置，其中，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压是由具有浮置栅极的各个双栅晶体管来限定的。