[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480064849.3 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105793994B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
用作电极或布线的第一氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜隔着第一绝缘膜与第二导电膜重叠；
包括第二氧化物半导体膜的晶体管；以及
与所述第一氧化物半导体膜的侧面和顶面及所述第二氧化物半导体膜的侧面和顶面接触的第一导电膜，
其中，所述第一绝缘膜与所述第一氧化物半导体膜的顶面、所述第二导电膜的底面以及第一导电膜的顶面接触，
所述第一绝缘膜不与所述第二氧化物半导体膜接触，
所述第一导电膜包括Cu-X合金膜及所述Cu-X合金膜上的Cu膜，
X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti，
所述第一氧化物半导体膜具有导电性，
所述第一氧化物半导体膜的氢浓度高于或等于8×1019atoms/cm3，
所述第二氧化物半导体膜的氢浓度低于或等于5×1019atoms/cm3，
并且，所述第一氧化物半导体膜的电阻率为所述第二氧化物半导体膜的电阻率的高于或等于1×10-8倍且低于1×10-1倍。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物半导体膜的所述电阻率高于或等于1×10-3Ωcm且低于1×104Ωcm。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第一导电膜包括Cu-Mn合金膜。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
其中所述Cu膜的一部分被包括氧化锰的膜覆盖，
并且所述Cu膜的所述一部分与所述包括氧化锰的膜接触。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物半导体膜包括氢及氧缺损，
并且所述氢位于所述氧缺损中。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括电容器，
其中所述电容器包括所述第一氧化物半导体膜、所述第一绝缘膜及所述第二导电膜，并且
在截面图中，在所述第一绝缘膜中不存在开口。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述第一绝缘膜是氮化物绝缘膜。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中具有导电性的所述第一氧化物半导体膜的所述氢浓度高于或等于5×1020atoms/cm3。
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