[发明专利]电活性装置和制造电活性装置的方法在审
申请号: | 201480066044.2 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN105793965A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | H·卡尔维特;S·阿加拉普;L-Y·叶;J-C·伊龙 | 申请(专利权)人: | 赛智电致变色公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/28 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 活性 装置 制造 方法 | ||
1.一种电活性装置,包括:
第一导电层和第二导电层,以及夹持在所述第一导电层与所述第二导 电层之间的一个或更多个电活性层,
其中,所述电活性装置的一个或更多个相邻层包括位于多个电活性层 的第一部分与第二部分之间的物理间隔,所述物理间隔限定所述第一部分 和第二部分中的每一个的相应的锥形侧壁,所述一个或更多个相邻层包括 所述第一导电层和所述第二导电层之一,以及
其中,所述电活性装置的剩余层形成在所述物理间隔上的一个或更多 个相邻层上,所述剩余层包括所述第一导电层和所述第二导电层中的另一 层。
2.一种用于制造电活性装置的方法,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板的表面上形成所述电活性装置的一个或更多个相邻层;
将划线器具定位成入射至所述基板的其上形成有一个或更多个相邻 层的侧面;
利用所述划线器具从所述基板去除所述电活性装置的一个或更多个 相邻层的一部分,由此在所述一个或更多个相邻层的第一部分与第二部分 之间形成物理间隔,所述物理间隔限定所述第一部分和第二部分中的每一 个的相应的锥形侧壁;以及
在所述一个或更多个相邻层的所述物理间隔上形成所述电活性装置 的一个或更多个剩余层。
3.根据权利要求1所述的电活性装置或权利要求2所述的方法,其中, 所述相应的锥形侧壁具有基本线性轮廓或基本高斯轮廓。
4.根据权利要求1所述的电活性装置或权利要求2所述的方法,其中, 所述相应的锥形侧壁相对于所述基板的平面具有大约45度或更小的倾度, 使得每个侧壁不具有阴影。
5.一种制造电活性装置的方法,所述电活性装置包括第一导电层、第 二导电层和夹持在所述第一导电层与所述第二导电层之间的一个或更多 个电活性层,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板的表面上形成所述电活性装置的一个或更多个相邻层,所 述一个或更多个相邻层包括所述第一导电层和所述第二导电层之一;
提供具有大约100皮秒或更短脉宽的激光器;
利用所述激光器从所述基板去除所述一个或更多个相邻层的一部分; 以及
在所述一个或更多个相邻层上形成所述电活性装置的剩余层,所述剩 余层包括所述第一导电层和所述第二导电层中的另一者。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述激光器定位成入射至所述 基板的其上形成一个或更多个相邻层的侧面。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的电活性装置或方法,其中,所 述一个或更多个相邻层还包括至少一个电活性层。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的电活性装置或方法,其中,所 述剩余层包括所述电活性装置的电活性层中的每一层。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的电活性装置或方法,其中,所 述电活性装置是电致变色装置。
10.根据权利要求9所述的电活性装置或方法,其中,所述一个或更 多个电活性层包括:
包括电致变色电极层和反电极层之一的第一电极;
包括所述电致变色电极层和所述反电极层中的另一者的第二电极;以 及
用于在所述第一电极与所述第二电极之间传导离子的离子导体层。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的电活性装置或方法,其中, 所述一个或更多个相邻层的厚度是所述电活性装置的所述一个或更多个 剩余层的电活性层的厚度的至少大约两倍或三倍。
12.根据权利要求1至4和7至11中的任一项所述的电活性装置或方 法,其中,所述物理间隔沿着相应的锥形侧壁不具有熔化点。
13.根据权利要求1至4和7至12中的任一项所述的电活性装置或方 法,其中,包括所述物理间隔的导电层在不沿着相应的锥形侧壁分层的情 况下直接接触所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造