[发明专利]全氢聚硅氮烷、以及包含其的组合物、以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法有效
| 申请号： | 201480066142.6 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105793963B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 冈村聪也;神田崇;樱井一成;B·B·巴尼科尔;青木宏幸 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C01B21/082 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘淼 |
| 地址： | 卢森堡(L-1*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 全氢聚硅氮烷 以及 包含 组合 使用 二氧化硅 质膜 形成 方法 | ||
1.一种全氢聚硅氮烷，其特征在于，其为重均分子量为5,000以上17,000以下的全氢聚硅氮烷，其中，对通过将所述全氢聚硅氮烷溶解于二甲苯而得到的17重量％溶液的1H-NMR进行了测定时，以二甲苯的芳香族环氢的量为基准的SiH1,2的量的比为0.235以下，NH的量的比为0.055以下，
并且，该全氢聚硅氮烷由下述通式(Ia)～(If)所表示的重复单元与下述通式(Ig)所表示的末端基团构成：
[化学式1]
2.根据权利要求1所述的全氢聚硅氮烷，其中，重均分子量为5,700以上15,000以下。
3.根据权利要求1或2所述的全氢聚硅氮烷，其包含由下述式表示的结构：
[化学式2]
4.一种固化用组合物，其特征在于，其包含权利要求1～3中任一项所述的全氢聚硅氮烷以及溶剂。
5.根据权利要求4所述的固化用组合物，其中，所述溶剂从由(a)芳香族化合物、(b)饱和烃化合物、(c)不饱和烃、(d)醚、(e)酯以及(f)酮组成的组中选出。
6.根据权利要求4或5所述的固化用组合物，其中，以组合物的总重量为基准，包含0.1～70质量％的全氢聚硅氮烷。
7.一种二氧化硅质膜的形成方法，其特征在于，包含如下的工序：将权利要求4～6中任一项所述的固化用组合物涂布于基材上，进行加热。
8.根据权利要求7所述的二氧化硅质膜的形成方法，其中，在水蒸气气氛下进行所述加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
