[发明专利]用于光伏吸收剂膜的核-壳纳米粒子有效
申请号: | 201480066247.1 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN105794001B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·纽曼 | 申请(专利权)人: | 纳米技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0749;B82Y30/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 英国曼*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 吸收剂 纳米 粒子 | ||
1.一种核-壳纳米粒子,所述核-壳纳米粒子包含:
核,其中所述核包含具有下式的金属硫属化物:
AB1·xB'xC2·yC'y
其中A是Cu、Zn、Ag或Cd;B和B'独立地是Al、In或Ga;C和
C'独立地是S、Se或Te;0≤x≤1;且0≤y≤2;和
包围所述核的壳,所述壳由具有式MxEy的二元金属硫属化物组成,
其中M是金属且E是硫属元素,
其中所述二元金属硫属化物选自由下列各项组成的组:CuxSy、InxSy和GaxSy,其中0≤x≤2;且0≤y≤3。
2.多个核-壳纳米粒子,所述多个核-壳纳米粒子具有选自由下列各项组成的组的一个或多个核:CuInSe2;CuInxGa1-xSe2;CuGaSe2;ZnInSe2;ZnInxGa1-xSe2;ZnGaSe2;AgInSe2;AgInxGa1-xSe2;AgGaSe2;CuInSe2-ySy;CuInxGa1-xSe2-ySy;CuGaSe2-ySy;ZnInSe2-ySy;ZnInxGa1-xSe2-ySy;ZnGaSe2-ySy;AgInSe2-ySy;AgInxGa1-xSe2-ySy;和AgGaSe2-ySy,其中0≤x≤1;且0≤y≤2,其中所述核被包封在二元金属硫属化物壳中,并且其中所述二元金属硫属化物选自由下列各项组成的组:CuxSy、InxSy和GaxSy,其中0≤x≤2;且0≤y≤3。
3.一种核-壳纳米粒子,所述核-壳纳米粒子具有包含Cu、In、Ga和Se的核和由CuS组成的壳。
4.一种核-壳纳米粒子,所述核-壳纳米粒子具有包含Cu、In、Ga和Se的核和由InS组成的壳。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的