[发明专利]纵型半导体装置

权利要求书

1.一种纵型半导体装置，具备：

半导体层；

第一主电极，其对所述半导体层的第一主面进行覆膜；

第二主电极，其对所述半导体层的第二主面进行覆膜，

所述半导体层具有：

缓冲层；

第一半导体层，其为第一导电型，并与所述缓冲层相接，且被配置于与 所述缓冲层相比靠所述第二主面侧；

第二半导体层，其为第二导电型，并与所述第一半导体层相接，且被配 置于与所述第一半导体层相比靠所述第二主面侧，

所述缓冲层具有：

第一缓冲区，其为第一导电型，并被形成在从所述第一主面起的第一深 度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与所述第一半导体层的杂质浓度相比较浓；

第二缓冲区，其为第一导电型，并被形成在从所述第一主面起的与所述 第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与所述第一半 导体层的杂质浓度相比较浓，

所述第一缓冲区在所述半导体层的所述第一深度的面内划定了开口，

所述第二缓冲区在所述半导体层的所述第二深度的面内划定了开口。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在从与所述半导体层的所述第一主面正交的方向进行观测时，通过所述 第一缓冲区所划定的开口的位置与通过所述第二缓冲区所划定的开口的位置 不一致。