[发明专利]减少具有电路的结构中的翘曲

权利要求书

1.一种用于制造包括电路的结构的方法，包括：

获得包括所述电路的第一结构，所述第一结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个包括翘曲的第一区域；

在所述第一表面上形成第一层以使所述第一区域的翘曲过平衡；以及

处理所述第一层以减少所述第一区域的翘曲，

其中：

将所述第一层粘接到所述第一表面上；以及

处理所述第一层包括在一个或多个选定位置处剥离所述第一层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层包括第一子层以及将所述第一子层接合到所述第一表面的粘合剂，所述第一子层具有与所述粘合剂不同的组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离是使用光和/或热进行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一层包括在一个或多个选定位置处去除所述第一层的一个或多个部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一结构包括用于与所述电路连接的一个或多个触点焊盘；以及

在处理所述第一层之后，所述方法包括将所述触点焊盘中的一个或多个附接到一个或多个第二结构中的一条或多条导线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一区域是所述第一结构的所述第一表面或所述第二表面的整个区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一结构包括一个或多个半导体集成电路，并且所述第一区域是晶片或管芯的包括一个或多个所述半导体集成电路的区域或者晶片或管芯的直接附接到一个或多个所述半导体集成电路的区域。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一层并且将所述第一层在所述一个或多个选定位置处剥离使所述第一区域的所述翘曲改善至少20％。

9.一种用于制造包括电路的结构的方法，包括：

获得包括晶片的第一结构，所述晶片包括所述电路，所述晶片还包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个包括翘曲的第一区域；以及

在所述第一表面上形成钽铝合金的第一层，其中铝含量为10重量％至60重量％，所述第一层促使所述晶片至少在低于400℃的任何温度下成为平面状态，所述第一区域的翘曲由于所述第一层的形成而减少，

其中：

所述第一层被粘接到所述第一表面上；以及

所述第一层在一个或多个选定位置处被剥离。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述晶片包括用于与所述电路连接的一个或多个触点焊盘；以及

在处理所述第一层之后，所述方法包括将所述触点焊盘中的一个或多个附接到一个或多个第二结构中的一条或多条导线。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一区域是所述晶片的所述第一表面的整个区域。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一层是通过物理气相沉积形成的。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一层具有2μm或更小的厚度。

14.一种包括电路的结构，包括：

包括电路的第一部分，所述第一部分包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个包括第一区域；以及

所述第一表面上的第一层，所述第一层包括粘合剂，所述粘合剂在除了一个或多个选定位置之外的整个所述第一区域上方将所述第一层接合到所述第一表面，由于所述第一层没有在所述一个或多个选定位置处被接合到所述第一区域，所以所述第一区域具有减少的翘曲，其中每个所述位置由接合到所述第一区域的所述粘合剂包围，

其中所述第一层在一个或多个选定位置处被剥离。

15.根据权利要求14所述的包括电路的结构，其中所述第一层包括第一子层以及将所述第一子层接合到所述第一表面的所述粘合剂，所述第一子层具有与所述粘合剂不同的组成。

16.根据权利要求14所述的包括电路的结构，其中在每个所述位置处，所述一个或多个选定位置中的每一个的最大横向尺寸为3μm至5μm。