[发明专利]半导体激光装置的制造方法、拉曼放大器的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统

权利要求书

1.一种半导体激光装置的制造方法，

所述半导体激光装置用在拉曼放大用的激发光源中，

所述半导体激光装置具备：半导体激光元件，其具备半导体发光部、和有将该半导体发光部输出的光反射的第一反射单元的光谐振器；和第二反射单元，其设置在该半导体激光元件的激光输出侧，

所述半导体激光装置的制造方法的特征在于，

所述第一反射单元由设置在所述激光输出侧的输出侧反射单元、和设置在与所述激光输出侧相反侧的后端侧反射单元构成，

通过控制从所述输出侧反射单元到所述第二反射单元的距离、和用包含所述半导体激光元件中的光的环绕时间τ、所述输出侧反射单元的反射率R₁以及所述第二反射单元的反射率R₂的下述(1)式定义的向所述半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装置，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用，

为了找到出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装置而进行所述选择，一边测定从所述半导体激光装置输出的激光的强度与时间的关系一边进行所述控制，

在测定从所述半导体激光装置输出的激光的强度与时间的关系时，在给定的时间内，将强度降低最大处作为基准峰值，将与强度的绝对值为所述基准峰值的60％以上的最相邻的峰值的间隔规定为所述LFF周期，

选择所述规定的LFF周期成为20ns以下时的半导体激光装置，决定为要使用的半导体激光装置，

其中，κ＝(1/τ)×(1-R₁)×(R₂/R₁)^1/2·····(1)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，

将从所述半导体激光装置输出的激光的强度设定为50mW以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，

将从所述半导体激光装置输出的激光的强度设定为20mW以上。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，

从所述半导体激光元件输出的激光的波长为1.3μm以上1.6μm以下的范围，

从所述输出侧反射单元到所述第二反射单元的物理距离L(cm)、与所述有效的返回光量κ(1/ps)的关系满足

L＞5333×κ-33

的关系。

5.一种拉曼放大器的制造方法，其特征在于，所述拉曼放大器具备：

用权利要求1～4的任一项所述的半导体激光装置的制造方法制造出的半导体激光装置、和被输入从该半导体激光装置输出的激光的拉曼放大用的光纤，

将因所述激光而在所述光纤内发生的受激布里渊散射所引起的所述激光的反射量的变动率设定在10％以下。