[发明专利]层叠膜和柔性电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种层叠膜和柔性电子器件。

背景技术

为了对膜状的基材赋予功能性，已知在基材的表面形成(层叠)了薄膜层的层叠膜。例如，通过在塑料膜上形成薄膜层而赋予了气体阻隔性的层叠膜适合于饮品和食品、化妆品、洗涤剂等物品的填充包装。近年来，提出了在塑料膜等基材膜的一个表面上形成氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等无机氧化物的薄膜而得到的层叠膜。

作为在塑料基材的表面上形成无机氧化物的薄膜的方法，已知真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相沉积法(PVD)、或减压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等化学气相沉积法(CVD)等成膜法。

而且，在专利文献1和专利文献2中，记载了通过上述的方法形成了氮化硅、氧氮碳化硅的薄膜层的气体阻隔性的层叠膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-231357号公报

专利文献2：日本特开2005-219427号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，上述的气体阻隔性的层叠膜存在由于气体阻隔性提高的影响而泛黄强的问题。另外，有时基材与薄膜层的粘附性变低，光学特性、粘附性不足。

本发明鉴于上述情况而作出，课题在于提供一种光学特性和粘附性优异的气体阻隔性层叠膜。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，

本发明提供一种层叠膜，其具有挠性基材、形成在上述基材的至少单侧的表面上的第1薄膜层和形成在第1薄膜层上的第2薄膜层，其中，

上述第1薄膜层含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)，上述第2薄膜层含有硅原子、氧原子和氮原子(N)，

上述第1薄膜层和第2薄膜层使用辉光放电等离子体形成。

本发明的层叠膜中，优选在分别表示在上述第1薄膜层的厚度方向上的、从上述第1薄膜层的表面起的距离与位于上述距离的点的相对于上述第1薄膜层中包含的硅原子、氧原子和碳原子的合计数的硅原子数的比率(硅的原子数比)、氧原子数的比率(氧的原子数比)、碳原子数的比率(碳的原子数比)的关系的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中，满足全部下述条件(i)～(iii)：

(i)硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在上述第1薄膜层的厚度方向上的90％以上的区域中满足由下述式(1)表示的条件，

(氧的原子数比)>(硅的原子数比)>(碳的原子数比)…(1)

(ii)上述碳分布曲线具有至少1个极值，

(iii)上述碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为0.05以上。

本发明的层叠膜中，优选在对上述第2薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，由宽扫描能谱计算出的碳原子相对于硅原子的原子数比在下述式(2)的范围内。

0<C/Si≤0.2(2)

本发明的层叠膜中，优选：上述第2薄膜层的厚度为80nm以上，从上述第2薄膜层的表面起朝向第2薄膜层内部在厚度方向上到40nm为止的深度的范围内含有硅原子和氧原子，氮原子相对于硅原子的原子数比在下述式(3)的范围内。

N/Si≤0.2(3)

本发明的层叠膜中，优选：上述第2薄膜层的厚度为80nm以上，从上述第2薄膜层与上述第1薄膜层的界面起朝向第2薄膜层内部在厚度方向上到40nm为止的深度的范围内含有硅原子和氧原子，氮原子相对于硅原子的原子数比在下述式(4)的范围内。

N/Si≤0.2(4)

本发明的层叠膜中，优选：对上述第2薄膜层进行红外光谱测定时，存在于810～880cm^-1的峰强度(I)与存在于2100～2200cm^-1的峰强度(I’)的强度比在下述式(5)的范围内。

0.05≤I’/I≤0.20(4)

本发明的层叠膜中，优选上述第1薄膜层和第2薄膜层通过等离子体CVD法形成。

本发明的层叠膜中，优选上述第2薄膜层通过感应耦合型等离子体CVD法形成。

优选使用了本发明的层叠膜作为基板的柔性电子器件。

发明效果

根据本发明，可以提供一种光学特性和粘附性优异的气体阻隔性层叠膜。本发明的层叠膜的耐弯曲性也优异。本发明的层叠膜可以作为柔性电子器件的基板使用，在工业上极为有用。

附图说明