[发明专利]嵌段共聚物

权利要求书

1.一种嵌段共聚物，包含含有侧链且体积分数为0.4至0.8的第一嵌段以及不同于所述第一嵌段且体积分数为0.2至0.6的第二嵌段，其中所述第一嵌段由下式1表示：

[式1]

在式1中，R为氢或具有1至4个碳原子的烷基，X为氧原子、硫原子、–S(＝O)₂–、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、–C(＝O)–X₁–或–X₁–C(＝O)–，其中X₁为氧原子、硫原子、–S(＝O)₂–、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及Y为包含连接有所述侧链的环状结构的一价取代基，其中所述侧链具有8或更多个成链原子。

2.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一嵌段与所述第二嵌段的密度之差的绝对值为0.3g/cm³或更大。

3.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述式1的所述环状结构为芳族结构或所述第二嵌段包含芳族结构。

4.根据权利要求3所述的嵌段共聚物，其中所述第二嵌段的所述芳族结构包含至少一个卤原子。

5.根据权利要求4所述的嵌段共聚物，其中所述卤原子为氟原子。

6.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述式1的所述环状结构为不含卤原子的芳族结构并且其中所述第二嵌段包含含有卤原子的芳族结构。

7.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第二嵌段由下式3表示：

[式3]

在式3中，X₂为单键、氧原子、硫原子、–S(＝O)₂–、亚烷基、亚烯基、亚炔基、–C(＝O)–X₁或–X₁–C(＝O)–，其中X₁为单键、氧原子、硫原子、–S(＝O)₂–、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及W为包含至少一个卤原子的芳基。

8.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述嵌段共聚物形成在掠入射小角度X射线散射中显示出面内相衍射图案的层。

9.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其数均分子量为3,000至300,000。

10.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其多分散性(Mw/Mn)为1.01至1.60。

11.一种聚合物层，包含根据权利要求1所述的嵌段共聚物的自组装产物。

12.根据权利要求11所述的聚合物层，其在掠入射小角度X射线散射中显示出面内相衍射图案。

13.一种用于形成聚合物层的方法，包括形成聚合物层，所述聚合物层包含根据权利要求1所述的嵌段共聚物的自组装产物。

14.一种图案形成方法，包括从层合体上选择性地移除嵌段共聚物的第一嵌段或第二嵌段，所述层合体包括基底和聚合物层，所述聚合物层在所述基底上形成且包含根据权利要求1所述的嵌段共聚物的自组装产物。