[发明专利]热喷墨打印头有效
申请号: | 201480074532.8 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN105939857B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | L.H.怀特;A.M.富勒;H.范 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | B41J2/05 | 分类号: | B41J2/05 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 周学斌,陈岚 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷墨 打印头 | ||
1.一种用于制造热喷墨打印头的方法,包括:
在基板上沉积具有用于形成功率总线的厚度的第一金属层;
沉积第一电介质层;
在第一电介质层中形成用于将第一金属层连接到第二金属层的通孔;
沉积第二金属层;
沉积电阻层;
在电阻层中形成热电阻器;
沉积第二电介质层;以及
使用定向蚀刻过程移除第二电介质层的一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括移除第二金属层的一部分,以及在第二金属层和第二金属层的所移除的部分上沉积电阻层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中移除所述部分包括使用干法蚀刻过程来蚀刻所述部分。
4.根据权利要求1所述的方法,其中使用定向蚀刻过程移除所述部分包括从墨水馈送槽蚀刻所述部分。
5.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述部分包括第一部分;并且
其中所述方法还包括使用第二蚀刻过程移除第二电介质的第二部分。
6.一种热喷墨打印头,包括:
基板;
电阻层;
基板与电阻层之间的具有用于形成功率总线的厚度的第一金属层;
与电阻层相邻的用于将热电阻器连接到控制电路的第二金属层;
在第一金属层与第二金属层之间的第一电介质层,第一电介质层包括用于将第一金属层连接到第二金属层的通孔;
在第二金属层与聚合物层之间的第二电介质层,其中将第二电介质层从墨水馈送槽定向移除;
形成在电阻层中的热电阻器;以及
形成在聚合物层中的热喷墨腔室。
7.根据权利要求6所述的热喷墨打印头,其中第一和第二电介质层是从由以下各项组成的组中选择的:原硅酸四乙酯(TEOS或Si(OC2H5)4)、场氧化物、二氧化硅(SiO2)、未掺杂硅酸盐玻璃(USG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)以及硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、Al2O3、HfO3、SiC、氮化硅SiN或其组合。
8.根据权利要求6所述的热喷墨打印头,包括钝化层,用于保护基板、第一金属层、第二金属层、第一电介质层和电阻层。
9.根据权利要求6所述的热喷墨打印头,其中电阻层中的电阻材料是从由以下各项组成的组中选择的:氮硅化钨WSiN、氮硅化钽TaSiN、铝化钽TaAl、氮化钽Ta2N或其组合。
10.根据权利要求6所述的热喷墨打印头,包括管芯表面优化DSO层,其中将DSO层的一部分从热电阻器和墨水馈送孔移除。
11.一种用于制造热喷墨打印头的方法,包括:
在基板上沉积第一电介质层;
沉积具有用于形成功率总线的厚度的第一金属层;
沉积第二电介质层;
在第二电介质层中形成用于将第一金属层连接到第二金属层的通孔;
沉积用于将热电阻器连接到电路的第二金属层;
在第二金属层中形成用于热电阻器的空间和电路迹线;
沉积电阻层;
在电阻层中形成热电阻器;
沉积第三电介质层;
使用干法蚀刻过程移除第三电介质层的第一部分;以及
使用湿法蚀刻过程移除第三电介质层的第二部分。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括:
沉积聚合物层;以及
在聚合物层内形成热喷墨腔室。
13.根据权利要求11所述的方法,其中使用干法蚀刻过程移除第三电介质层的第一部分包括从墨水馈送槽移除第三电介质层。
14.根据权利要求11所述的方法,其中使用湿法蚀刻过程移除第三电介质层的第二部分包括从电阻层中的热电阻器移除第三电介质层。
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