[发明专利]利用具有隧穿场效应晶体管(TFET)的电路实施的复用器逻辑功能有效
| 申请号： | 201480076342.X | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106030824B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | D·H·莫里斯;U·E·阿维奇;R·里奥斯;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 具有 场效应 晶体管 tfet 电路 实施 复用器 逻辑 功能 | ||
【说明书】：
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