[发明专利]具有可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201480076343.4 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106030817B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | U·E·阿维奇;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 可变 沟道 场效应 晶体管 | ||
【说明书】：
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