[发明专利]用于形成具有点接触的自由磁性层的自旋转移扭矩存储器的技术在审
| 申请号： | 201480076425.9 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106062880A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | C·C·郭;K·奥乌兹;B·S·多伊尔;M·L·多齐;D·L·肯克;S·苏里;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L29/82 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 点接触 自由 磁性 自旋 转移 扭矩 存储器 技术 | ||
【权利要求书】：
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