[发明专利]用于基于鳍状物的NMOS晶体管的高移动性应变沟道有效
| 申请号： | 201480076490.1 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106030818B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | S·M·塞亚;R·科特利尔;H·W·肯内尔;G·A·格拉斯;A·S·默西;W·拉赫马迪;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 基于 鳍状物 nmos 晶体管 移动性 应变 沟道 | ||
【说明书】：
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