[发明专利]不使用穿硅通孔(TSV)将存储器管芯直接集成到逻辑管芯的方法有效
| 申请号： | 201480078905.9 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106463467B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | D·W·纳尔逊;M·C·韦伯;P·莫罗;K·俊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/60 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 穿硅通孔 tsv 存储器 管芯 直接 集成 逻辑 方法 | ||
【说明书】：
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