[发明专利]用于分离第一衬底的试样固持器,装置和方法有效
申请号: | 201480079964.8 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN106716615B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 埃里希·塔尔纳 | 申请(专利权)人: | 埃里希·塔尔纳 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B32B43/00;H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;杜荔南 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分离 第一 衬底 试样 固持器 装置 方法 | ||
1.一种用于通过连接层(3、3'、3、3'、3IV)的脆化来将第一衬底(2)与第二衬底(4)分离的方法,其中所述第一衬底通过所述连接层(3、3'、3、3'、3IV)与所述第二衬底(4)连接,其中所述脆化通过冷却到0℃之下的温度来进行,其中将用来冷却所述连接层(3、3'、3、3'、3IV)的冷却流体(18)用于脆化,其中整个衬底堆叠(1、1'、1、1'、1IV、1V)被冷却,以便使所述连接层(3、3'、3、3'、3IV)整面脆化,其中所述连接层(3、3'、3、3'、3IV)由具有至少一个粘合剂层和至少一个分开层的多个层构成,其中在所述至少一个分开层的脆化临界温度之下,在所述至少一个分开层中形成裂缝,其中所述连接层(3、3'、3、3'、3IV)的冷却在整面的脆化中形成仅穿过所述至少一个分开层的部分的裂缝。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述脆化通过冷却到-100℃之下的温度来进行。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述脆化通过冷却到-150℃之下的温度来进行。
4.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中所述连接层(3、3'、3、3'、3IV)选自以下材料之一:
- 硅树脂,
- 塑料,或者
- 蜡。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述塑料是热塑性塑料或者热固性塑料。
6.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中所述连接层(3、3'、3、3'、3IV)选自弹性体。
7.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中所述连接层(3、3'、3、3')选自以下材料中的一个或多个:
- 有机组分,
- 无机组分。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述有机组分是有机分子,所述无机组分是无机分子。
9.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中所述连接层(3、3'、3、3')选自以下材料中的一个或多个:
- 金属,
- 陶瓷。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述金属是金属离子和/或金属合金。
11.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中将具有冷却面(9、9k'、9k、9k')的冷却主体(9、9'、9、9'、9IV、9V)用于脆化,其中所述冷却面具有位于0.1 W/(m*K)与5000 W/(m*K)之间的导热率。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述冷却主体(9、9'、9、9'、9IV、9V)被所述冷却流体(18)流过。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述冷却主体(9、9'、9、9'、9IV、9V)被用于冷却。
14.根据权利要求11所述的方法,其中所述冷却面具有位于1 W/(m*K)与2500 W/(m*K)之间的导热率。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述冷却面具有位于10 W/(m*K)与1000 W/(m*K)之间的导热率。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述冷却面具有位于100 W/(m*K)与450 W/(m*K)之间的导热率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃里希·塔尔纳,未经埃里希·塔尔纳许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480079964.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造