[发明专利]一种真空镀膜设备

权利要求书

1.一种真空镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜设备包括气相沉积室、支架以及与所述支架连接的磁性转动组件，所述支架设置于所述气相沉积室内且用于放置待镀膜工件，所述磁性转动组件包括设置于所述气相沉积室外侧的第一旋转磁体以及设置于所述气相沉积室内侧的第二旋转磁体，所述第一旋转磁体与所述第二旋转磁体磁性耦合，所述第一旋转磁体在同步电机带动下转动，并能够带动所述第二旋转磁体转动，进而带动所述支架转动；

所述真空镀膜设备进一步包括排气柱，所述排气柱贯穿所述气相沉积室设置，所述第一旋转磁体和所述第二旋转磁体分别转动支撑于所述排气柱上且能够绕所述排气柱进行转动，进而带动所述支架绕所述排气柱进行转动；

所述真空镀膜设备进一步包括裂解炉，所述裂解炉与所述气相沉积室连通，以将所述裂解炉内的高分子材料裂解气体导入至所述气相沉积室内。

2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述支架包括支架柱，所述支架柱呈中空状，所述排气柱从所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套设置于所述排气柱外侧，所述排气柱贯穿设置于所述气相沉积室的底壁上且沿竖直方向延伸，所述支架柱沿所述竖直方向嵌套至所述排气柱外侧且承座于所述第二旋转磁体上，进而在所述第二旋转磁体带动下绕所述排气柱进行转动。

3.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述气相沉积室的顶部上设置有开口，以允许通过所述开口将所述支架放置于所述气相沉积室中或者从所述气相沉积室中取出所述支架。

4.根据权利要求3所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜设备进一步包括设置于所述气相沉积室侧壁的入口以及设置于所述气相沉积室内与所述入口正对着的降温分流挡板，所述入口用于引入所述高分子材料裂解气体，所述高分子材料裂解气体经所述降温分流挡板冷却后扩散于所述气相沉积室内。

5.根据权利要求4所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述排气柱呈中空状且在所述排气柱的侧壁上设置有多个第一通气孔，所述支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔，所述高分子材料裂解气体均匀扩散并沉积于所述待镀膜工件上，气相沉积后的残余气体经过所述第二通气孔和所述第一通气孔进入所述排气柱，且所述支架柱的另一端设置有顶盖，所述顶盖的设置方式为密封设置。

6.根据权利要求5所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一通气孔为长度方向沿所述排气柱的轴向方向设置的条形孔且沿所述排气柱的轴向方向彼此错开；所述第二通气孔为圆形孔，所述第一通气孔的长度大于所述第二通气孔的直径。

7.根据权利要求5所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜设备进一步包括设置于所述气相沉积室外侧并与所述排气柱连接的冷却塔，气相沉积后的残余气体经过所述第二通气孔和所述第一通气孔进入所述排气柱，进一步通过所述排气柱导入到所述冷却塔中。

8.根据权利要求5所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述支架进一步包括主支撑环、辅支撑环、多个主支撑杆和多个辅支撑杆，所述主支撑环与所述支架柱嵌套设置且固定于所述支架柱上，所述多个主支撑杆设置于所述主支撑环上且向所述主支撑环的外侧放射状延伸；所述辅支撑环设置于所述主支撑杆上且沿所述支架柱的径向方向与所述主支撑环间隔嵌套设置，所述多个辅支撑杆设置于所述辅支撑环上且向所述辅支撑环的外侧放射状延伸。

9.根据权利要求8所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第二通气孔设置于沿所述支架柱的轴向方向相邻设置的所述主支撑杆之间。