[发明专利]漏电断路器有效

专利信息
申请号: 201480081157.X 申请日: 2014-10-29
公开(公告)号: CN106663573B 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 近井圣崇;塚本龙幸 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01H83/02 分类号: H01H83/02
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 漏电 断路器
【权利要求书】:

1.一种漏电断路器,其具有:

开闭触点,其对电路进行开闭;漏电流检测器,其对所述电路的漏电流进行检测;降压电路,其将从所述电路供给的电力降压成低电压的电力;漏电检测电路,其由所述降压电路进行电源供给,基于所述漏电流检测器的检测信号对漏电进行检测;跳闸装置,其被所述漏电检测电路驱动而使所述开闭触点进行分离;开关元件,其设置于所述降压电路的输入侧的线间,在所述降压电路的输入电压达到规定值时导通;以及第1齐纳二极管,其是阴极朝向所述降压电路的正极侧而设置的,与所述开关元件形成串联体,

在所述降压电路的输入电压达到规定值时,由所述开关元件和所述第1齐纳二极管的串联体对所述输入电压进行旁通。

2.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于,

所述电路为直流电路,开关元件为自消弧型开关元件。

3.根据权利要求1所述的漏电断路器,其特征在于,

所述电路为交流电路,开关元件为晶闸管。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的漏电断路器,其特征在于,

所述降压电路具有:

场效应晶体管,其漏极连接于从所述电路供给的电压的正侧;第1电阻及第2电阻的串联体,其连接于该场效应晶体管的漏极和栅极之间;第2齐纳二极管,其阴极与所述场效应晶体管的栅极连接,阳极与所述电路的负极侧连接;第3电阻,其一端连接于所述第1电阻及所述第2电阻的连接点,另一端与开关元件的栅极连接;以及第4电阻,其一端与所述开关元件的栅极连接,另一端与所述电路的负极侧连接。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的漏电断路器,其特征在于,

所述降压电路具有:

场效应晶体管,其漏极连接于从所述电路供给的电压的正侧;第1电阻及第2电阻的串联体,其连接于该场效应晶体管的漏极和栅极之间;所述第1齐纳二极管,其阴极与所述场效应晶体管的栅极以及所述开关元件连接,阳极与所述电路的负极侧连接;第3电阻,其一端连接于所述第1电阻及所述第2电阻的连接点,另一端与开关元件的栅极连接;以及第4电阻,其一端与所述开关元件的栅极连接,另一端与所述电路的负极侧连接。

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